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Gd
)Ni composed of heavy fermion CeNi and ferri-magnet GdNi through XMCD method矢野 一雄*; 岡根 哲夫; 竹田 幸治; 山上 浩志; 藤森 淳; 西村 克彦*; 佐藤 清雄*
Physica B; Condensed Matter, 515, p.118 - 125, 2017/06
被引用回数：1 パーセンタイル：5.85(Physics, Condensed Matter)CeNi, GdNi、並びにCeGdNiについて、構成元素の電子状態を軟X線吸収磁気円二色性(XMCD)測定により調べた。実験の結果、この系では、Gd 4f電子だけでなく、NI 3d電子並びにCe 4f電子も磁性も有しており、NI並びにCeの磁気モーメントはGdの磁気モーメントとは反平行にカップリングしていることがわかった。Ceの磁気モーメントは、いったん飽和した後、2T以上の磁場領域で減少していくが、これはスピンフリップ挙動と考えられる。サムルール解析からは、Gd 4f電子とNi 3d電子に小さい軌道磁気モーメントが残っていることが示唆された。
GdNi岡根 哲夫; 竹田 幸治; 矢野 一雄*; 藤森 淳; 山上 浩志; 西村 克彦*; 石川 義和*; 佐藤 清雄*
JPS Conference Proceedings (Internet), 3, p.011028_1 - 011028_6, 2014/06
(Ce
Gd
)Ni is an interesting material to study the magnetic properties of Ce 4
electrons under the strong influence of other magnetic elements. Previous soft X-ray magnetic circular dichroism (XMCD) study of CeGdNi at the Gd 
, Ni 
, and Ce absorption edges has revealed that, while the Gd 4 and Ni 3
magnetic moments show a saturation at around 2 T, the Ce 4 magnetic moment takes a maximum at around 2 T and then shows a linear decrease with magnetic, which can be interpreted as a spin flip behavior. Present study provides the results of similar XMCD study for CeGdNi to investigate the stoichiometry dependence of the magnetic properties of Gd 4, Ni 3, and Ce 4 electrons, especially focusing on the spin flip behavior of Ce 4 electrons.
須貝 宏行; 松波 紀明*; 福岡 修*; 左高 正雄; 加藤 輝雄; 岡安 悟; 志村 哲生*; 田沢 真人*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 250(1-2), p.291 - 294, 2006/09
被引用回数：15 パーセンタイル：70.41(Instruments & Instrumentation)AlドープZnO(AZO)半導体薄膜は、電気伝導性及び可視光透過性に優れ、低コストで環境負荷の軽い透明電極材料として応用研究が行われている。熱的過程では限界があるAZO薄膜の電気特性向上を試みて、高エネルギー重イオン照射を行った。RFマグネトロンスッパター法により作製したAZO薄膜は、Al/Zn組成比4%,膜厚0.3
mであった。フルーエンス4
10
/cm
まで100MeV Xeイオンを照射すると、電気伝導度は1.510から810S/cmまで単調に増加した。このような電気伝導度の増加は、100keV Neイオン照射の場合にも観測しているが、100keV Neイオン照射の場合には、フルーエンス310
/cm(深さ0.1mのレンジ付近で、7dpa)で電気伝導度が最大となった。100MeV Xeイオン照射の場合、フルーエンス410/cmにおけるdpaは0.008となるので、100MeV Xeイオン照射における電気伝導度の増加は、電子励起効果によると考えられる。
福岡 修*; 松波 紀明*; 田沢 真人*; 志村 哲生*; 左高 正雄; 須貝 宏行; 岡安 悟
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 250(1-2), p.295 - 299, 2006/09
被引用回数：24 パーセンタイル：82.92(Instruments & Instrumentation)AlドープZnO(AZO)半導体薄膜は、電気伝導性及び可視光透過性に優れ、低コストで環境負荷の軽い透明電極材料として応用研究が行われている。熱的過程では限界があるAZO薄膜の電気特性向上を試みて、高エネルギー重イオン照射を行い、光学特性の変化を調べた。RFマグネトロンスッパター法により作製したAZO薄膜は、Al/Zn組成比4%,膜厚0.3mであった。フルーエンス410/cmまでの100MeV Xeイオン照射により、電子励起効果によると考えられる電気伝導度の増加(1.510から810S/cm)を観測したが、照射前後の吸光度測定及びX線回折測定によると、可視光透過率及び結晶性に大きな変化はなかった。
松波 紀明*; 福岡 修*; 志村 哲生*; 左高 正雄; 岡安 悟
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 230(1-4), p.507 - 511, 2005/04
被引用回数：14 パーセンタイル：67.9(Instruments & Instrumentation)高エネルギー重イオン照射に伴い高密度電子励起による固体内原子変位の機構解明を目的として東海研タンデム加速器を用いて各種の高エネルギーイオンビームを用い自己保持カーボン補修によりスパッタリング収量を測定し、また、電流測定法によりイオン照射による放出電子と放出イオン収量の測定を行った。試料は電子構造の異なる種々の酸化物(酸化珪素,酸化マグネシウム,スピネル,ジルコニアなど)であり、照射イオン種(Ni, Ar, Xeなど)と照射エネルギー(60-200MeV)は電子的阻止能を連続的に変化させて照射するために選んだ。スパッタリング測定の結果、電子励起スパッタリングは弾性散乱に基づく計算値に対して最大1000倍大きい、スパッタリング収量は電子阻止能のべき乗に比例する、べき乗の指数とスパッタリング収量は物質依存性があり、収量に関しては酸化物のバンドギャップに関係していることなど電子励起スパッタリングの存在と特性がわかった。電流測定法によりスパッタリング粒子の約10%は正イオンであることがわかった。イオン放出量が少ないことから、電子励起モデルの一つであるクーロン爆発モデルは妥当でないことがわかった。そこでthermal spikeモデルの妥当性とともに、self-trapped excitonモデルの適応性について議論する。
Ag岡根 哲夫; 藤森 伸一; 間宮 一敏; 岡本 淳; 藤森 淳; 辻井 直人*; 吉村 一良*
Acta Physica Polonica B, 34(2), p.1019 - 1022, 2003/02
YbCu
M化合物(M=Ag, Au, Pd, etc.)はAuBe
型結晶構造を持ち、M元素の違いにより多様な物性を示すことから興味が持たれている物質である。この内YbCuAgは典型的な高密度近藤系の性質を示すが、その固溶体YbCuAgはxが0.125から1の範囲でAuBe型構造を持つ結晶が生成され、全て高密度近藤系の性質を示す。組成比xが減少するにしたがって近藤効果の特性温度は系統的に減少していく。本研究は高分解能光電子分光実験により組成比xの変化に応じた電子状態の変化を調べたものである。実験の結果、フェルミ準位近傍にこの物質の重い電子系的ふるまいと対応する近藤ピークを観察し、これが組成比xの減少とともに強度が減少し、かつピーク位置がフェルミ準位に近づいていくことを明らかにした。
西原 哲夫; 羽田 一彦; 西村 邦幸*
JAERI-Tech 2000-046, 54 Pages, 2000/07
JAERI-Tech-2000-046.pdf:2.72MB
原研では高温ガス炉の核熱利用システムとして、天然ガスの水蒸気改質水素製造システムの技術開発を進めている。本システムが実用化される前提として、将来、大規模な水素需要の増加が不可欠である。そこで、21世紀中旬までのエネルギー需要を調査し、石油代替燃料の必要性を示すとともに、水素需要を予測し、水素エネルギーの必要性を明らかにした。また、高温ガス炉の熱利用システムとして、水素製造が最も適していることを明らかにし、実用システムの基本系統構成及び経済性について検討した。その結果、軽水炉の核熱費を仮定すれば、高温ガス炉水蒸気改質水素製造システムの水素製造単価は約13.5円/m
となる。
膜の結晶粒配向Shinde, N.*; 松波 紀明*; 志村 哲生*; 左高 正雄; 岡安 悟; 田沢 真人*
no journal, ,
東海研タンデム加速器からの高エネルギー重イオンを用いて多結晶SiOに高エネルギーイオンビーム照射を行った。SiOに関しては単結晶とアモルファス試料についての研究はあるが、多結晶に対する研究はほとんどない。単結晶で見いだされている照射によるアモルファス化と低エネルギーイオン照射によって見いだされている多結晶試料の結晶成長と配向性の変化との比較を行った。試料は単結晶基板を大気中で1300
Cに加熱して作成したtridymite構造の薄膜であり、薄膜厚は1.3、組成比(O/Si)は1.99である。この試料に対し100MeVのXeイオンと90MeVのNiイオンを照射量310/cmまで照射した。X線回折の結果、Xeイオンを1.710
/cm照射した試料のX線ロッキングカーブは未照射試料と比較すると半値幅が約15%減少し、回折強度は半分に減少した。AFM観察によると結晶粒径は照射前後で変化はなかった。高エネルギーイオン照射による結晶粒配向整列とアモルファス化が考えられる。ただし、単結晶全体がアモルファス化する照射量と比べてこの場合は数桁小さい。イオンが作るトラック内のアモルファス化と結晶全体のアモルファス化などの検討を行う予定である。
GdNiの軟X線吸収磁気円二色性測定岡根 哲夫; 矢野 一雄*; 山上 浩志; 藤森 淳; 西村 克彦*; 石川 義和*; 佐藤 清雄*
no journal, ,
希土類金属-遷移金属合金における元素ごとの磁性の振る舞いを分離して観測することは、この合金系においてどのような元素組成の組合せにおいてどのような磁性が発現するかを予測するうえで重要な知見となる。GdNiではGd 4f電子とNi 3d電子による磁性が反平行にカップリングしているが、このGdサイトをCeに置換したCeGdNi混晶化合物においては顕著な磁化の減少が生じ、最終的に常磁性基底状態を持つCeNiに帰着する。Gd 4f電子とNi 3d電子の磁気モーメントがCe置換によりどのような影響を受けるか、混晶内でCeの4f電子はどのような磁性状態を持っているのかを理解するため、CeGdNi単結晶試料に対するGd 吸収端, Ce 吸収端, Ni 吸収端におけるXMCD測定実験を行った。実験の結果、Ce 4f電子がGd 4f電子と反平行な磁気モーメントを持ち、その強度がいったん極大値に達した後に磁場の増大とともに減少するという興味深い振る舞いを示すことを明らかにした。
若井田 育夫; 丸山 庸一郎; 宮部 昌文; 赤岡 克昭; 大場 正規; 反保 元伸; 大場 弘則; 音部 治幹; 高野 公秀; 加藤 政明; et al.
no journal, ,
「次世代燃料の遠隔分析技術開発とMOX燃料による実証的研究」について、研究開発の背景及び最近の成果を紹介する。レーザー誘起発光分光法(LIBS)による元素組成分析では、高濃度領域における測定精度についての評価結果を、アブレーション共鳴吸収分光による同位体分析では、計測条件の最適化に必要なアブレーションプルームの挙動を共鳴蛍光分光法により可視化した結果について報告する。また、本技術の福島原子力発電事故における炉内モニタリングへの適用や、半導体レーザー今共鳴電離分析法を用いた環境中
Sr等の分析技術開発の提案等について概説する。
岩田 圭弘; 宮部 昌文; 若井田 育夫; 吉村 昌稀*; 松村 珠希*; 森田 真人*; 坂本 哲夫*
no journal, ,
東京電力福島第一原子力発電所の廃炉作業において、燃料デブリの元素・同位体組成に関する情報が必要不可欠である。本研究では、燃焼率の指標となるネオジム(Nd)元素を対象として、高感度かつ高精度な同位体分析に向けた2波長2段階共鳴イオン化スキームを開発した。
