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SrCaCuO
tapes irradiated by ions数又 幸生*; 熊倉 浩明*; 戸叶 一正*
Physical Review B, 54(22), p.16206 - 16210, 1996/12
被引用回数：5 パーセンタイル：34.41(Materials Science, Multidisciplinary)タンデム加速器からの重イオン、230MeV Au
及び120MeV O
イオン、をBi-2212テープ材に照射した。この照射によって生成した円柱状欠陥及び点欠陥による磁束のピン止め状態を調べた。残留磁化及び臨界電流密度は照射によって大幅に増加した。特に照射方向と垂直な方向においても臨界電流密度の増加が観測されたことは特徴的である。この増加をCuO面を横切るkinkの運動として解釈した。不可逆磁場の方位依存性の測定から、円柱状欠陥に捕らえられている磁束は、直線的(3次元的)であるとの結論に達した。点欠陥による不可逆磁場はスケール則に従っていた。結論として、磁束の3次元から2次元への転移は、欠陥構造によって大きく左右されることを指摘した。
数又 幸生; 岡安 悟; 熊倉 浩明*; 戸叶 一正*
Physica C, 235-240, p.2825 - 2826, 1994/00
被引用回数：2 パーセンタイル：20.8(Physics, Applied)Bi2212フィルム及びテープ材に120MeV酸素イオンを照射して、超電導特性の変化を調べた。臨界温度は、最大照射量1.6
10
O
/cm
で、照射前の82Kから77Kに減少した。臨界電流密度は、照射により増大し、増加の割合は高温・高磁場で大きい。磁化及びヒシテリシスの測定から不可逆曲線を決定した。照射による不可逆曲線の改善を見い出した。更に、Bi2212では、不可逆曲線は従来主張されているように温度のべき乗ではなく、指数関数的であることを示した。磁化の時間緩和の測定から、磁束の活性化エネルギーを臨界電流密度の関数として求めた。照射による活性化エネルギーの増加が観測された。以上の実験事実から、点欠陥或はクラスター欠陥によっても、臨界電流密度が改善されることが明らかになった。
