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口頭

UGa$$_2$$のGa-NQR

神戸 振作; 酒井 宏典; 徳永 陽; 芳賀 芳範; 山本 悦嗣

no journal, , 

強磁性化合物UGa$$_2$$のゼロ磁場下でのNQR実験を行った。実験は常磁性及び強磁性相で行った。Ga核はI=3/2であるので、常磁性相ではGa-NQR共鳴線は1つになる。一方、強磁性秩序状態では、内部磁場により、共鳴線の分裂が起きる。強磁性秩序状態のスペクトルを解析し、Gaサイトでの内部磁場の温度依存を決定した。この化合物では、Ga軌道の共鳴磁気X-線散乱実験が行われており、その散乱強度の温度依存が測定されている。したがって、内部磁場と散乱強度の関係は明らかになった。Ga軌道の共鳴磁気X-線散乱強度に起源についても議論する。

口頭

イオン温度勾配駆動乱流のプラズマサイズおよび加熱パワー依存性

井戸村 泰宏; 仲田 資季

no journal, , 

ジャイロ運動論的full-fオイラーコードGT5Dを用いてイオン温度勾配駆動乱流における熱輸送のプラズマサイズおよび加熱パワー依存性を調べた。系統的な加熱パワースキャンによって、Lモードプラズマにおける加熱パワーによる閉じ込め劣化現象を第一原理モデルで初めて再現することに成功した。加熱パワーをプラズマサイズに比例して増大させると、従来のジャイロ運動論的delta-fコードがジャイロボーム則に漸近する輸送係数を与える大型装置領域においても、加熱パワーによる閉じ込め劣化現象によって輸送係数がボーム則を示すことを発見した。

口頭

重粒子線照射で生成するプラズマ中での再結合の役割り,2

森林 健悟

no journal, , 

重粒子線の水への照射で生じた分子イオンの電場で二次電子が粒子線の軌道付近に捕獲されプラズマが生成する。プラズマ中では衝突電離など様々な原子過程が起きるが、イオン・電子間の再結合もその1つである。前回の講演では(1)再結合により電子のエネルギーはもう1つの電子に移行し、(2)再結合は軌道上で最もよく起き、これにより、(3)高エネルギー電子が軌道より1nm以内の少し離れた場所を動き回り、(4)電子温度を高くすることを示した。今回の講演では再結合過程が動径線量を増加させることを報告する。これは、電子温度が高くなると電離や励起を起こす能力が増えるためである。

口頭

汚染水問題と海洋拡散の状況

小林 卓也

no journal, , 

東京電力福島第一原子力発電所の事故から約3年が経過した現在、事故起因の放射性物質の拡散状況が少しずつ明らかになってきた。本稿では、海水中の事故由来の放射性核種について、放出状況と分布の概況、今後の課題について解説する。福島第一原子力発電所から海洋への放射性物質の放出状況として主なものは、(1)大気中に放出された放射性核種の海表面沈着、(2)2011年4月1日から6日にかけて、2号機ピットからの漏洩、(3)4月4日から10日にかけて比較的低濃度の汚染水の漏洩、(4)5月10日から11日にかけて3号機取水口付近からの漏えい、(5)12月4日の蒸発濃縮装置からの漏えい、がある。汚染水の海洋における分布の概況として、原子力機構が実施した福島沿岸、日本近海、太平洋規模の予測シミュレーション結果と、様々な研究機関が実施した海洋観測結果を時系列で見ると、事故発生直後に大気へ放出された放射性物質の海表面沈着による太平洋規模の広域汚染があり、その後、海洋への直接放出による沿岸域の高濃度汚染、そして黒潮続流による東方への輸送が続く。汚染水の今後の課題として福島第一原子力発電所に滞留・貯留している汚染水が漏洩する可能性に備える必要がある。

口頭

大規模数値対角化によるカゴメ格子反強磁性体の磁化過程の研究

坂井 徹; 中野 博生*

no journal, , 

京コンピューターなどによる大規模数値対角化を用いて、等方的なS=1/2カゴメ格子量子ハイゼンベルグ反強磁性体の磁化過程を解析したところ、飽和磁化の3分の1のところで新しい磁場誘起量子相転移を発見し、磁化ランプと名付けた。また格子歪みを導入して、その歪みに対する磁化3分の1位における量子相転移を調べたところ、一様なカゴメ格子反強磁性体はちょうど量子臨界点の直上にあることが判明した。

口頭

銅酸化物高温超伝導物質に対するL吸収端共鳴非弾性X線散乱の理論的研究

筒井 健二; 遠山 貴己*; 森 道康; Khaliullin, G.*

no journal, , 

銅酸化物高温超伝導物質における銅L吸収端共鳴非弾性X線散乱スペクトルを、ハバード模型やd-p模型の有限サイズクラスタに対する数値的厳密対角化法により計算し、ホール・ドープ系の入射X線のエネルギー依存性等を議論する。

口頭

第一原理分子動力学法によるカーボンアロイ触媒における酸素還元反応機構の研究,3

池田 隆司; Chai, G.*; Hou, Z.*; 寺倉 清之*

no journal, , 

近年、窒素等のヘテロ原子をドープしたカーボンアロイ触媒が固体高分子形燃料電池の正極での酸素還元反応の有望な白金代替触媒として注目されており、盛んに研究開発が行われている。触媒活性の更なる向上のためには、触媒活性点と反応機構の原子レベルでの理解が必須である。我々はこれまでに、炭素材を端のあるグラフェンシートに簡素化したモデルを用いて第一原理電子状態計算を基盤とした分子動力学計算を行い、カーボンアロイ触媒における触媒活性に寄与する窒素の配置および触媒活性点での酸素還元反応機構を報告してきた。今回は、電極電位を考慮した熱平衡状態計算により得られた窒素等をドープしたグラフェン端での可能な酸素還元反応経路および各活性点での触媒活性の総括を行う。

口頭

ITG乱流プラズマの過渡応答に関するシミュレーション研究

宮戸 直亮; 矢木 雅敏

no journal, , 

磁場閉じ込めトロイダルプラズマで時々観測されるような、プラズマ端での密度ソースに対するプラズマの非局所応答が簡約化MHDモデルに基づくシミュレーションで発見されている。しかし、これらは非局所応答が起きる炉心領域に乱流が存在しないシミュレーションであった。炉心領域ではイオン温度勾配(ITG)駆動乱流がプラズマの輸送に重要な役割を果たしていると考えられている。そこで、ITG乱流を取り扱うことができるグローバルランダウ流体コードに、プラズマ端での密度ソースを温度の方程式におけるシンク(コールドパルス)として実装し、コールドパルスがITG乱流および乱流から駆動される帯状流に及ぼす影響を調べた。シミュレーションによれば、コールドパルスによりプラズマ端領域のITG乱流は強められ、その結果、帯状流のGAM振動が駆動された。

口頭

レーザー照射クラスターターゲットによる粒子線加速

福田 祐仁

no journal, , 

高強度レーザーと物質の相互作用によってプラズマ中に作り出される加速電場は、従来型高周波加速器の加 速電場をはるかに超える。したがって、この電場勾配を利用することで、従来型加速器を凌駕する超小型 の「レーザー加速器」を実現することが可能である。我々は、クラスターターゲットを用いたレーザー駆動イオン 加速が、従来の固体薄膜ターゲットを用いた手法の約10倍の加速効率を有することを発見し、これまでに核子あたり50MeV/nを超えるヘリウムイオンの加速に成功した。この革新的なレーザー駆動イオン加速手法の最新の研究成果、及び、レーザー駆動イオン加速技術の放射線物理研究への適用に関する展望について報告する。

口頭

全反射高速陽電子回折法によるAg(111)表面上のシリセンの構造解析

深谷 有喜; 望月 出海*; 前川 雅樹; 和田 健*; 兵頭 俊夫*; 松田 巌*; 河裾 厚男

no journal, , 

シリセンはグラフェンのシリコン版であり、理論的にはグラフェンとは異なる物性の発現も期待される新物質である。シリセン自体は自然界に存在しないため、これまでその合成が試みられていた。最近Ag(111)表面上での合成が報告され、シリセンの物性の実験的な検証が精力的に行われている。理論的にはシリセンのバックリングの大きさに依存することが予想されているが、原子配置は実験的に決定されていなかった。本研究では、全反射高速陽電子回折(TRHEPD)法を用いて、Ag(111)表面上のシリセンからのロッキング曲線を測定し、動力学的回折理論に基づく強度解析を行った。各層間隔をパラメータとして最適化を行った結果、シリセンのバックリングの大きさに関しては、0.83Aと決定した。この値は理論的予測と0.05Aの誤差範囲内で一致する。したがって、シリセンはグラフェンとは異なり、バックリングした構造を形成することが確かめられた。

口頭

中間価数準結晶Au-Al-YbのYb価数の圧力依存性

綿貫 徹; 町田 晃彦; 川名 大地*; 柏本 史郎*; 田中 幸範*; 石政 勉*

no journal, , 

Au-Al-Yb準結晶はYb価数が2.61価である中間価数系の準結晶である。Yb系では、これらの2価後半の価数値から3価までの価数領域で多彩な物性を示す。そこで加圧により、その価数領域を実現させることを試みた結果、最高圧32GPaでは約2.97価とほぼ3価にまで価数増加させることができた。

口頭

新規強磁性体BaFeO$$_{3}$$及びその鉄サイト置換系の磁性と局所構造観測

吉井 賢資; 林 直顕*; 松村 大樹; 草野 翔吾*; 水牧 仁一朗*; 水木 純一郎*; 高野 幹夫*

no journal, , 

BaFeO$$_{3}$$は、2年程前に発見された、Fe$$^{4+}$$スピンが110Kで強磁性整列を示す新規強磁性体である。2013年の本学会および論文にて、この物質がヒステリシス損が少ないなどの磁気冷凍に適した性質を持っていることを、磁化測定と放射光磁気円二色性測定により報告した。今回は、鉄サイト置換物質に対し、磁気冷凍効果を中心とした磁性を調べた。Ni等の元素をパーセント程度の微量置換することで、基底状態から強磁性が発現し、母物質よりもヒステリシス損が小さくなりうることが分かった。また、置換量を変えることにより冷凍温度を制御できることなども判明した。さらに放射光EXAFSを用いた局所構造観測を行ったところ、BaFeO$$_{3}$$では磁気転移温度以下でFe周囲の局所歪みが発生するが、置換系では歪みが抑えられることが分かった。現在、これらの結果を解析中である。学会当日は他の結果についても報告する。

口頭

マンガン酸化物超格子薄膜の磁性と電子状態の研究

久保田 正人; 武田 全康; 山田 浩之*; 澤 彰仁*; 岡本 淳*; 中尾 裕則*; 村上 洋一*

no journal, , 

薄膜の磁性を非破壊的に内部構造まで含めて解明する際に、量子ビームは有効なプローブである。特に、軟X線共鳴散乱実験では、元素選択性や偏光特性を利用することにより、マンガンサイトの物性を直接捉えることが可能である。超格子薄膜(LaMnO$$_{3}$$)m/(SrMnO$$_{3}$$)nでは、積層枚数(m,n)により、強磁性絶縁体相, 強磁性金属相, 反強磁性絶縁体相などといった多彩な相図が示されている。今回は、バルク状態においては共に反強磁性絶縁体であるにも関わらず、超格子薄膜状態においては、強磁性を示す試料の物性を明らかにするために、軟X線共鳴散乱実験を行った。温度変化測定を行った結果、磁気転移点温度以下で、スペクトルの大きな変化を示し、強磁性の出現に伴い、降温に従って、スペクトル強度が発達していくことことを観測した。本発表では、マンガン酸化物超格子薄膜内部のLaMnO$$_{3}$$層とSrMnO$$_{3}$$層の役割について、発表を行う。

口頭

ジグザグ鎖構造を持つバナジウム酸化物のスピン軌道状態

大西 弘明

no journal, , 

バナジウム酸化物CaV$$_{2}$$O$$_{4}$$は、$$S$$=1ジグザグスピン鎖の候補物質と考えられていたが、最近の実験で軌道自由度が低温物性に寄与している可能性が指摘されている。本研究では、バナジウム酸化物でどのようなスピン軌道状態が実現するのかを明らかにするために、バナジウム酸化物に対する有効多軌道模型の基底状態を数値的手法を用いて解析した。縮退軌道の結晶場分裂により軌道状態が変化して、その軌道状態に応じて、スピン状態は単純な有効スピン模型に基づいて理解できる。特に、正方晶結晶場の場合は強磁性$$J_{1}$$-反強磁性$$J_{2}$$$$J_{1}$$-$$J_{2}$$ハイゼンベルグ鎖(CaV$$_{2}$$O$$_{4}$$の高温相に対応)、斜方晶結晶場の場合は反強磁性梯子格子系(CaV$$_{2}$$O$$_{4}$$の低温相に対応)とみなせることが分かった。講演では、磁場効果によるスピン軌道状態転移についても議論する。

口頭

テラヘルツ発振の3次元シミュレーション; 接合長$$cdot$$接合数と発振モードの相関

太田 幸宏; 町田 昌彦; 羽多野 毅*; 小山 富男*; 松本 秀樹*

no journal, , 

層状銅酸化物超伝導体はテラヘルツ周波数領域の連続光を発振する機能性材料として注目を集めており、その発振機構の解明はデバイス特性予測やデバイス設計のため重要な課題である。本成果の目的は、その課題解決と関連して、超伝導材料の幾何的特性(幅,超伝導層の数など)と発振モードの間の相関を、大規模シミュレーションにより明らかにすることである。メサ長とメサ幅の比がおよそ8:1という非常に非対称な材料について3次元動的シミュレーションを実行した結果、長さの短いメサ幅で特徴付けられる発振が支配的になることを明らかにした。この成果は、今後の系統的なデバイス設計に向けて大きな知見となることが期待される。

口頭

レーザー波長より薄い薄膜からの陽子加速

余語 覚文*; 近藤 公伯; Bulanov, S. V.; 森 道昭; 桐山 博光; 小倉 浩一; 金崎 真聡; 神野 智史; 福田 祐仁; 榊 泰直; et al.

no journal, , 

原子力機構に設置された10TW級チタンサファイアレーザー装置JLITE-Xの高コントラスト化により、背景光強度をプラズマ化しきい値より低い$$10^9$$W/cm$$^{2}$$程度に抑えることで、厚さが数百nmの薄膜と高強度レーザーの相互作用を実験的に検証することが可能となった。パルス時間幅45fs、集光強度$$3times10^{18}$$W/cm$$^{2}$$のレーザーを45度の角度から入射し、薄膜裏面から加速される陽子のエネルギーを測定したところ、レーザーの偏光方向をpからsへ回転させると、偏光の回転角度に依存して陽子のエネルギーが減少し、p偏光では最大2.3MeVであったものが、s偏光では検出限界以下まで低下する結果が得られた。レーザー背景光の比較的高い過去の実験では、s偏光時の陽子エネルギーはp偏光と比べて約30%しか低下しなかったことと比較すると、本研究の結果は表面に急峻な密度勾配を持つ薄膜とレーザーの相互作用に特徴的な現象であると考えられる。講演では、この陽子加速機構に関して議論する。

口頭

高温高圧力下における鉄の重水素化過程のその場中性子回折

町田 晃彦; 齋藤 寛之; 服部 高典; 佐野 亜沙美; 遠藤 成輝; 綿貫 徹; 片山 芳則; 飯塚 理子*; 佐藤 豊人*; 松尾 元彰*; et al.

no journal, , 

高温高圧力下における金属の水素化反応を利用することによって、これまで新規水素化物の探索や水素誘起超多量空孔形成に関する研究が多く実施されている。水素-金属系で観測される現象の理解には格子間水素の情報が必要であるが、これまで高温高圧力下における結晶構造のその場観察は放射光X線回折実験に限られており、格子間水素の情報を得ることができなかった。我々はJ-PARC・MLFに建設された超高圧中性子回折装置PLANETを利用して、高温高圧力下での鉄の重水素化反応過程における中性子回折その場観察を実施し、反応過程の中性子回折パターンの取得に成功した。約680$$^{circ}$$Cにおける回折パターンに対してリートベルト解析を行い、この温度圧力条件での重水素組成と占有サイトの最適化を試みた。これらの結果について詳細に報告する。

口頭

強磁場下におけるスピン偏極低速陽電子ビームを用いた磁性体評価

前川 雅樹; 河裾 厚男; 深谷 有喜; Zhang, H.; Li, H.

no journal, , 

これまで我々は高スピン偏極陽電子放出同位体元素Ge-68を開発し、スピン偏極陽電子ビームの開発を行ってきた。この線源から発生した陽電子を静電レンズによりビームに形成・試料まで輸送したところ、47%の偏極率であることが分かった。これは従来からビーム発生に利用されているNa-22線源を使った装置よりも1.5倍以上高い偏極率であり、より高い精度で材料中の余剰スピンを検出するためにはGe-68線源が有利であることを実証した。さらに最大1Tの磁場中にビームを打ち込み、磁場印加下その場測定が行えるシステムを開発した。これを用いて強磁性材料のドップラースペクトルの磁場反転効果を測定したところ、明瞭な磁場反転非対称性が測定できた。現在、鉄などの薄膜磁性体材料に加え、ハーフメタル系材料CoMnSi等のスピントロニクス材料の測定を行っている。

口頭

超高強度場物理研究を目指した飛翔鏡の集光性能の評価

神門 正城; Pirozhkov, A. S.; 林 由紀雄; 小瀧 秀行; Pikuz, T. A.; Faenov, A.*; Esirkepov, T. Z.; 大石 裕嗣*; Labate, L.*; Gizzi, L. A.*; et al.

no journal, , 

高強度・超短パルスレーザーをプラズマ中に照射することにより非線形プラズマ波を駆動する。この波は電子疎密波であり、電子が集群しそれらが一体となって亜光速で進むことから光を反射する飛翔鏡として作用する。この飛翔鏡の集光性能について調べるのが本研究の目的であり、今発表では準単色の極端紫外光領域の反射光を観測したので、そのスペクトルの結果と新たに開発したアライメント方法について報告する。

口頭

非クラマース二重項結晶場基底を持つPr系化合物の四極子秩序と電子状態の理論研究

鈴木 通人

no journal, , 

PrPtBiやPrPb$$_{3}$$, PrT$$_{2}$$X$$_{20}$$(T=Ir, Rh, Ti, V; X=Zn, Al)などのPr系化合物は結晶場基底に非クラマース二重項と呼ばれる、磁場下で縮退の解けない特殊な結晶場基底を持つことが知られており、低温化での四極子秩序の発現などに興味が持たれている。例えば、PrPtBiは1.35Kで四極子秩序を起こし、電気伝導特性から半導体であると考えられているが、詳細な秩序パラメータや絶縁体化機構はわかっていない。また、PrPb$$_{3}$$は0.4Kで四極子秩序を起こすと考えられ、低磁場下で非整合的な秩序構造が観測されているが、無磁場下の詳細な秩序構造はわかっていない。本研究では、これらのPr系化合物を対象に、第一原理計に基づき四極子秩序相の形成やそれらが電子状態に及ぼす影響を調べた。発表ではこれらの秩序相の秩序パラメータやその電子状態への影響について議論を行う。

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