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口頭

表面Rashbaスピン・軌道相互作用による垂直磁気異方性とその電界制御の理論

家田 淳一; Barnes, S. E.*; 前川 禎通

no journal, , 

スピン・軌道相互作用は、異方的交換相互作用と反対称交換相互作用の2つの競合する相互作用を導く。同様に、表面Rashbaスピン・軌道相互作用により強磁性金属において、2つの相互作用が生じる。前者は面内磁気異方性を、また後者は垂直磁気異方性を与え、どちらが支配的かは強磁性体の電子状態による。特に超薄膜では、表面Rashbaスピン・軌道相互作用が外部電場で制御が可能なことから、磁気異方性の電場依存性は興味深い。この新しい垂直磁化の発生機構を提示する。

口頭

軟X線レーザーを用いた金属表面のフェムト秒レーザーアブレーション過程の観察,2

錦野 将元; 長谷川 登; 富田 卓朗*; 江山 剛史*; 柿本 直也*; 大西 直文*; 羽富 大紀*; 伊藤 篤史*; 南 康夫*; 武井 亮太*; et al.

no journal, , 

近年、フェムト秒レーザーアブレーションによるリップル形成、ナノスケールアブレーションやナノ粒子生成などに関する興味深い現象が数多く報告されているが、その基礎的なメカニズムは理解されていない。フェムト秒レーザー照射による金属のアブレーション過程の解明のために、フェムト秒レーザー(波長795nm, パルス幅80fs)ポンプ・ピコ秒軟X線レーザー(波長13.9nm, パルス幅7ps)プローブを構築し、ピコからナノ秒スケールで起きる金属のフェムト秒レーザーアブレーション過程の観測を行った。フェムト秒レーザー照射直後、数百ピコ秒後までの時間領域のサンプル表面でのアブレーション面の膨張過程についてダブルロイズ鏡を用いた軟X線干渉計測を行い、アブレーションフロントの表面状態について解析を行った。これらの実験結果と分子動力学シミュレーションを用いたフェムト秒レーザーアブレーションに関する結果を比較しアブレーションダイナミクスの検討を行った。これらの解析結果について講演する。

口頭

蓄積リングS-LSRにおける極低温ビーム生成シミュレーション

大崎 一哉*; 岡本 宏巳*; 想田 光*; 野田 章*; 中尾 政夫*; 百合 庸介

no journal, , 

京都大学の蓄積リングS-LSRで行われているレーザー冷却と共鳴結合に基づく3次元ビーム冷却実験では、運動エネルギー40keVのMgイオンビームを用いて既に10K程度の低温ビームの生成が観測されている。この実験をさらに進めて超高品質ビームであるクリスタルビームを実現するため、S-LSRの実験環境を想定したレーザー冷却に関する系統的な分子動力学シミュレーション研究を行い、レーザーのスポットサイズや周波数を最適化した。さらに、最適化された条件下でのレーザー冷却後に高周波電圧を徐々に下げ粒子密度を低減してクーロン散乱による加熱効果を抑制するというシミュレーション結果に基づき、ビームの極低温化に伴う10mm以上の長い1次元クリスタルビームを生成する可能性について考察した。

口頭

スピン波による一方向性熱輸送の理論

安立 裕人; 前川 禎通

no journal, , 

近年、熱によってスピントロニクス素子を操作しようという研究が盛んに行われ、スピンカロリトロニクスという一分野を形成しつつある。ごく最近になって、磁性体表面を一方向にしか進まない特殊なスピン波による一方向性の熱輸送現象が実証され、大きな注目を集めている。講演では、フォノンによる左右対称な熱拡散と、Daman-Eshbachスピン波に伴う一方向性の熱ドリフトとの競合でこの実験を解釈できることを議論する。

口頭

レーザー駆動型重イオン源の可能性

西内 満美子; 榊 泰直; 西尾 勝久; 佐甲 博之; Pikuz, T. A.; Faenov, A. Ya.*; Esirkepov, T. Z.; Pirozhkov, A. S.; 松川 兼也*; 前田 祥太; et al.

no journal, , 

クオーク物質研究や超重元素の合成過程の解明研究のために現状の大規模加速器施設の次世代計画が世界各国で進んでいる。高電荷・高エネルギーの重イオンをいかに高電流にするかが重要課題である。実際問題としては、いかに小型の装置を作るかが建設コスト削減の上で、またランニングコストを抑える上で重要である。したがってできるだけ加速器の初段において、高電荷質量比(Q/M)を持つビームを生成できるかが問題となってくる。しかし、既存の加速器技術におけるイオン源で達成できるQ/Mは現状$$<$$0.2程度にとどまっている。一方、原子力機構関西光科学研究所においては、高コントラスト超高強度短パルスレーザーJ-KARENを用いてレーザー駆動イオン加速研究を行っている。レーザー自身の高い電場強度によってプラズマ中のイオンは高いQ/Mを実現し、かつ同時に高エネルギーにまで加速することが可能である。最適化を行えば、既存の加速器のイオン源のみならず初段の線形加速器までの置き換えが可能であることを示唆する。本講演では、薄膜と超高強度短パルス高コントラストレーザーとの相互作用によって、高エネルギーイオンの加速に成功したことについて報告する。

口頭

2次元磁区パターン形成におけるランダムネスの影響,2

横田 光史

no journal, , 

前回、交換相互作用と双極子相互作用のあるイジング系における2次元磁区パターン形成について、局所項と交換相互作用にランダムネスがある場合について、ランダムネスの種類によるパターン形成への影響についてシミュレーションで調べた。今回は、磁場中の振る舞いやパターンの相違について、さらに調べていく。

口頭

汚染水問題と海洋拡散の状況

小林 卓也

no journal, , 

東京電力福島第一原子力発電所の事故から約3年が経過した現在、事故起因の放射性物質の拡散状況が少しずつ明らかになってきた。本稿では、海水中の事故由来の放射性核種について、放出状況と分布の概況、今後の課題について解説する。福島第一原子力発電所から海洋への放射性物質の放出状況として主なものは、(1)大気中に放出された放射性核種の海表面沈着、(2)2011年4月1日から6日にかけて、2号機ピットからの漏洩、(3)4月4日から10日にかけて比較的低濃度の汚染水の漏洩、(4)5月10日から11日にかけて3号機取水口付近からの漏えい、(5)12月4日の蒸発濃縮装置からの漏えい、がある。汚染水の海洋における分布の概況として、原子力機構が実施した福島沿岸、日本近海、太平洋規模の予測シミュレーション結果と、様々な研究機関が実施した海洋観測結果を時系列で見ると、事故発生直後に大気へ放出された放射性物質の海表面沈着による太平洋規模の広域汚染があり、その後、海洋への直接放出による沿岸域の高濃度汚染、そして黒潮続流による東方への輸送が続く。汚染水の今後の課題として福島第一原子力発電所に滞留・貯留している汚染水が漏洩する可能性に備える必要がある。

口頭

大規模数値対角化によるカゴメ格子反強磁性体の磁化過程の研究

坂井 徹; 中野 博生*

no journal, , 

京コンピューターなどによる大規模数値対角化を用いて、等方的なS=1/2カゴメ格子量子ハイゼンベルグ反強磁性体の磁化過程を解析したところ、飽和磁化の3分の1のところで新しい磁場誘起量子相転移を発見し、磁化ランプと名付けた。また格子歪みを導入して、その歪みに対する磁化3分の1位における量子相転移を調べたところ、一様なカゴメ格子反強磁性体はちょうど量子臨界点の直上にあることが判明した。

口頭

銅酸化物高温超伝導物質に対するL吸収端共鳴非弾性X線散乱の理論的研究

筒井 健二; 遠山 貴己*; 森 道康; Khaliullin, G.*

no journal, , 

銅酸化物高温超伝導物質における銅L吸収端共鳴非弾性X線散乱スペクトルを、ハバード模型やd-p模型の有限サイズクラスタに対する数値的厳密対角化法により計算し、ホール・ドープ系の入射X線のエネルギー依存性等を議論する。

口頭

テラヘルツ発振の3次元シミュレーション; 接合長$$cdot$$接合数と発振モードの相関

太田 幸宏; 町田 昌彦; 羽多野 毅*; 小山 富男*; 松本 秀樹*

no journal, , 

層状銅酸化物超伝導体はテラヘルツ周波数領域の連続光を発振する機能性材料として注目を集めており、その発振機構の解明はデバイス特性予測やデバイス設計のため重要な課題である。本成果の目的は、その課題解決と関連して、超伝導材料の幾何的特性(幅,超伝導層の数など)と発振モードの間の相関を、大規模シミュレーションにより明らかにすることである。メサ長とメサ幅の比がおよそ8:1という非常に非対称な材料について3次元動的シミュレーションを実行した結果、長さの短いメサ幅で特徴付けられる発振が支配的になることを明らかにした。この成果は、今後の系統的なデバイス設計に向けて大きな知見となることが期待される。

口頭

レーザー波長より薄い薄膜からの陽子加速

余語 覚文*; 近藤 公伯; Bulanov, S. V.; 森 道昭; 桐山 博光; 小倉 浩一; 金崎 真聡; 神野 智史; 福田 祐仁; 榊 泰直; et al.

no journal, , 

原子力機構に設置された10TW級チタンサファイアレーザー装置JLITE-Xの高コントラスト化により、背景光強度をプラズマ化しきい値より低い$$10^9$$W/cm$$^{2}$$程度に抑えることで、厚さが数百nmの薄膜と高強度レーザーの相互作用を実験的に検証することが可能となった。パルス時間幅45fs、集光強度$$3times10^{18}$$W/cm$$^{2}$$のレーザーを45度の角度から入射し、薄膜裏面から加速される陽子のエネルギーを測定したところ、レーザーの偏光方向をpからsへ回転させると、偏光の回転角度に依存して陽子のエネルギーが減少し、p偏光では最大2.3MeVであったものが、s偏光では検出限界以下まで低下する結果が得られた。レーザー背景光の比較的高い過去の実験では、s偏光時の陽子エネルギーはp偏光と比べて約30%しか低下しなかったことと比較すると、本研究の結果は表面に急峻な密度勾配を持つ薄膜とレーザーの相互作用に特徴的な現象であると考えられる。講演では、この陽子加速機構に関して議論する。

口頭

高温高圧力下における鉄の重水素化過程のその場中性子回折

町田 晃彦; 齋藤 寛之; 服部 高典; 佐野 亜沙美; 遠藤 成輝; 綿貫 徹; 片山 芳則; 飯塚 理子*; 佐藤 豊人*; 松尾 元彰*; et al.

no journal, , 

高温高圧力下における金属の水素化反応を利用することによって、これまで新規水素化物の探索や水素誘起超多量空孔形成に関する研究が多く実施されている。水素-金属系で観測される現象の理解には格子間水素の情報が必要であるが、これまで高温高圧力下における結晶構造のその場観察は放射光X線回折実験に限られており、格子間水素の情報を得ることができなかった。我々はJ-PARC・MLFに建設された超高圧中性子回折装置PLANETを利用して、高温高圧力下での鉄の重水素化反応過程における中性子回折その場観察を実施し、反応過程の中性子回折パターンの取得に成功した。約680$$^{circ}$$Cにおける回折パターンに対してリートベルト解析を行い、この温度圧力条件での重水素組成と占有サイトの最適化を試みた。これらの結果について詳細に報告する。

口頭

強磁場下におけるスピン偏極低速陽電子ビームを用いた磁性体評価

前川 雅樹; 河裾 厚男; 深谷 有喜; Zhang, H.; Li, H.

no journal, , 

これまで我々は高スピン偏極陽電子放出同位体元素Ge-68を開発し、スピン偏極陽電子ビームの開発を行ってきた。この線源から発生した陽電子を静電レンズによりビームに形成・試料まで輸送したところ、47%の偏極率であることが分かった。これは従来からビーム発生に利用されているNa-22線源を使った装置よりも1.5倍以上高い偏極率であり、より高い精度で材料中の余剰スピンを検出するためにはGe-68線源が有利であることを実証した。さらに最大1Tの磁場中にビームを打ち込み、磁場印加下その場測定が行えるシステムを開発した。これを用いて強磁性材料のドップラースペクトルの磁場反転効果を測定したところ、明瞭な磁場反転非対称性が測定できた。現在、鉄などの薄膜磁性体材料に加え、ハーフメタル系材料CoMnSi等のスピントロニクス材料の測定を行っている。

口頭

軟X線磁気円二色性によるUCoAlの元素選択的磁化測定

竹田 幸治; 斎藤 祐児; 岡根 哲夫; 山上 浩志; 松田 達磨*; 山本 悦嗣; 芳賀 芳範; 大貫 惇睦*; Fisk, Z.

no journal, , 

UCoAlは温度T=15K以下で、磁場H=1T以上で常磁性状態から磁場誘起強磁性状態へのメタ磁性転移を示す。磁気コンプトン散乱(MCS)実験において、メタ磁性転移に伴いスピン磁気モーメント(MS)の増大が観測される。一方で、MCSの磁場依存性測定からはMSはH=3Tで消失する様子が観測されている。この原因は判然としておらず、元素ごとの磁性の研究が望まれていた。そこで本研究では、軟X線内殻吸収磁気円二色性(XMCD)により、UとCo元素に対して元素選択磁化測定を行った。XMCDスペクトル形状からは、UとCoのMSは互いに逆の方向を向いていることが分かり、XMCD強度の磁場依存性からは、磁気モーメントの磁場に対する増加率はUの方がCoよりも大きいことが分かった。以上のことによりMCS実験でのMSの消失に対して定性的な説明を与えることができた。さらにXMCD強度の詳細な温度依存性も測定し、磁場依存性だけでなく温度依存性についても元素ごとに異なる振る舞いを示していることが明らかになった。

口頭

NaNbO$$_3$$の局所構造

米田 安宏; 小原 真司*; Fu, D.*

no journal, , 

ニオブ系ペロブスカイトの一つであるNaNbO$$_3$$${it A}$サイトにアルカリ金属のナトリウムを含んでいる。アルカリ金属酸化物の潮解性のため、合成が困難な強誘電体であったが、近年はこの問題も克服されつつあり、良質のサンプルが合成されるようになった。そこで、NaNbO$$_3$$の相転移を再確認するため、局所構造解析の一つである2体相関分布関数法(PDF)を用いた構造解析を行った。通常、強誘電体の構造相転移では、転移点近傍で局所構造はほとんど変化しない。しかし、NaNbO$$_3$$においては明瞭な局所構造の変化が見られており、相転移機構を考察中である。

口頭

非クラマース二重項結晶場基底を持つPr系化合物の四極子秩序と電子状態の理論研究

鈴木 通人

no journal, , 

PrPtBiやPrPb$$_{3}$$, PrT$$_{2}$$X$$_{20}$$(T=Ir, Rh, Ti, V; X=Zn, Al)などのPr系化合物は結晶場基底に非クラマース二重項と呼ばれる、磁場下で縮退の解けない特殊な結晶場基底を持つことが知られており、低温化での四極子秩序の発現などに興味が持たれている。例えば、PrPtBiは1.35Kで四極子秩序を起こし、電気伝導特性から半導体であると考えられているが、詳細な秩序パラメータや絶縁体化機構はわかっていない。また、PrPb$$_{3}$$は0.4Kで四極子秩序を起こすと考えられ、低磁場下で非整合的な秩序構造が観測されているが、無磁場下の詳細な秩序構造はわかっていない。本研究では、これらのPr系化合物を対象に、第一原理計に基づき四極子秩序相の形成やそれらが電子状態に及ぼす影響を調べた。発表ではこれらの秩序相の秩序パラメータやその電子状態への影響について議論を行う。

口頭

放射光と中性子を用いた過剰ドープLSCOの磁気励起の研究

脇本 秀一; 石井 賢司; 木村 宏之*; 藤田 全基*; 梶本 亮一; 池内 和彦*; Granroth, G.*; Ghiringhelli, G.*; Braicovich, L.*

no journal, , 

過剰ドープLSCOを用いて中性子と放射光X線を用いて高エネルギー磁気励起の観測を行った。LSCO25%試料では、中性子とX線で同様な分散関係が観測され、その分散は母物質と同様のものであった。このことから、共鳴放射光X線で観測される励起は磁気励起であることを確認し、高エネルギー側磁気励起がドーピング依存性のないことを明らかにした。

口頭

LHDでのダブルパストムソン散乱による電子速度分布関数詳細計測

谷塚 英一; 安原 亮*; 山田 一博*; 舟場 久芳*; 波多江 仰紀; 伊丹 潔

no journal, , 

大型ヘリカル装置(LHD)のプラズマ中でレーザーを往復させて、実効的に2つの配置でトムソン散乱を行い、2種類の方向に沿った電子温度(磁力線にほぼ垂直方向と磁力線に対し約60度傾いた方向の電子温度)を測定するレーザー入射系及びデータ収集系を開発した。それらを用いて、LHD第17実験サイクルの様々な放電条件で、磁気軸付近の1点に関する電子速度分布関数(電子温度)の非等方性を調べた。5keV程度以下の電子温度を持つプラズマでは、測定した2方向の電子温度は誤差の範囲で一致しており、等方的であることを示唆している。特に、低温・高密度になるほど2方向の電子温度の差及びその誤差率が小さくなることを示した。今後、5keV以上の高電子温度プラズマを対象とした測定及び解析を行い、非等方性発現の条件を調べる。

口頭

UGa$$_2$$のGa-NQR

神戸 振作; 酒井 宏典; 徳永 陽; 芳賀 芳範; 山本 悦嗣

no journal, , 

強磁性化合物UGa$$_2$$のゼロ磁場下でのNQR実験を行った。実験は常磁性及び強磁性相で行った。Ga核はI=3/2であるので、常磁性相ではGa-NQR共鳴線は1つになる。一方、強磁性秩序状態では、内部磁場により、共鳴線の分裂が起きる。強磁性秩序状態のスペクトルを解析し、Gaサイトでの内部磁場の温度依存を決定した。この化合物では、Ga軌道の共鳴磁気X-線散乱実験が行われており、その散乱強度の温度依存が測定されている。したがって、内部磁場と散乱強度の関係は明らかになった。Ga軌道の共鳴磁気X-線散乱強度に起源についても議論する。

口頭

陽子中性子乱雑位相近似法と統計モデルを用いた遅発中性子と中性子スペクトルの研究

湊 太志; 岩本 修

no journal, , 

遅発中性子は原子炉の安定運転に重要な要素の一つである。それに加えて、r-processによる星の中の元素合成や、核構造の研究とも密接につながっている。そのような背景の元で、ORNLやJYFL、GSIなどの実験施設で遅発中性子の新たな測定が行われ始めている。しかし、短寿命の核種を扱うために、全ての遅発中性子のデータを実験的に測定することは、依然として難しい。それゆえ、遅発中性子データを完備するためには、理論モデルと相補的に研究を行うことが要求されている。このため、遅発中性子と中性子スペクトルを理論的に導出することを目的として、陽子中性子乱雑位相近似法(pnQRPA)と統計モデルのハイブリッドモデルを構築した。このモデルは、従来の理論計算には含まれていなかった相互作用の自己無撞着性や変形効果を含んでいるのが特徴である。本研究によって導出された遅発中性子放出率の結果は、典型的な先行核において、従来型モデルの一つであるFRDM+QRPAよりも精度よく実験データを再現することが分かった。本発表ではさらに、遅発中性子の理論計算では、変形効果が重要な役割を演じていることを議論する。

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