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口頭

陽子中性子乱雑位相近似法と統計モデルを用いた遅発中性子と中性子スペクトルの研究

湊 太志; 岩本 修

no journal, , 

遅発中性子は原子炉の安定運転に重要な要素の一つである。それに加えて、r-processによる星の中の元素合成や、核構造の研究とも密接につながっている。そのような背景の元で、ORNLやJYFL、GSIなどの実験施設で遅発中性子の新たな測定が行われ始めている。しかし、短寿命の核種を扱うために、全ての遅発中性子のデータを実験的に測定することは、依然として難しい。それゆえ、遅発中性子データを完備するためには、理論モデルと相補的に研究を行うことが要求されている。このため、遅発中性子と中性子スペクトルを理論的に導出することを目的として、陽子中性子乱雑位相近似法(pnQRPA)と統計モデルのハイブリッドモデルを構築した。このモデルは、従来の理論計算には含まれていなかった相互作用の自己無撞着性や変形効果を含んでいるのが特徴である。本研究によって導出された遅発中性子放出率の結果は、典型的な先行核において、従来型モデルの一つであるFRDM+QRPAよりも精度よく実験データを再現することが分かった。本発表ではさらに、遅発中性子の理論計算では、変形効果が重要な役割を演じていることを議論する。

口頭

表面Rashbaスピン・軌道相互作用による垂直磁気異方性とその電界制御の理論

家田 淳一; Barnes, S. E.*; 前川 禎通

no journal, , 

スピン・軌道相互作用は、異方的交換相互作用と反対称交換相互作用の2つの競合する相互作用を導く。同様に、表面Rashbaスピン・軌道相互作用により強磁性金属において、2つの相互作用が生じる。前者は面内磁気異方性を、また後者は垂直磁気異方性を与え、どちらが支配的かは強磁性体の電子状態による。特に超薄膜では、表面Rashbaスピン・軌道相互作用が外部電場で制御が可能なことから、磁気異方性の電場依存性は興味深い。この新しい垂直磁化の発生機構を提示する。

口頭

FeTiO$$_3$$のTi2p端X線発光分光スペクトルの偏光依存性

安居院 あかね; 水牧 仁一朗*; 魚住 孝幸*

no journal, , 

遷移金属酸化物における遷移金属3dと酸素2pの間の電荷移動はその物性発現に大きく寄与し、軟X線分光でも多く調べられてきた。本研究ではFeTiO$$_3$$の異種金属間電荷移動構造をより詳細に調べるためにTi2p吸収端発光分光スペクトルの偏光依存性を測定し、2.5eVと4.5eVに現れるFe3dとTi3dの異種金属間電荷移動に起因する構造の振る舞いが偏光により異なることを見出した。

口頭

ジョセフソン接合を用いた磁壁の振動モードの測定方法

森 道康; 小椎八重 航*; 挽野 真一*; 前川 禎通

no journal, , 

強磁性体で隔てられた超伝導体の接合を考え、その強磁性体中に磁壁が含まれている場合の電流電圧特性を理論的に導いた。振動運動している場合の電流電圧特性を理論的に導いた。その結果、磁壁の振動数の整数倍に比例定数をかけた電圧のところで、電流電圧特性が階段状に変化しうることを見出した。比例係数がプランク定数と素電荷で与えられ、電圧はジョセフソン接合を用いて極めて高い精度で規定されているので、磁壁の振動数の高精度な観測が可能になると期待される。

口頭

不安定魔法数核からのベータ崩壊におけるテンソル力の重要性の解明

湊 太志

no journal, , 

$$beta$$崩壊を起こす原子核は不安定であるため、核構造の視点からみた物理的理解は、実験的にも理論的にも十分に進んでいない。特に、中性子過剰の魔法数核の$$beta$$崩壊については、従来の核構造理論で再現することが難しく、問題となっている。本研究では微視的な核構造の理論計算(平均場+乱雑位相近似法)に基づいて、不安定(準)魔法数核の$$beta$$崩壊(半減期, ft値,娘核の励起状態)を再現することができるか検証を行った。本研究の特色は、テンソル力を理論計算モデルに新たに取り込んだことである。その結果として、テンソル力の残留二体相互作用が、$$beta$$崩壊に大きな影響を与えていることが分かった。さらに、励起状態(親核から見ると崩壊先の準位)でもテンソル力が重要となることを明らかにした。この研究成果により、平均場に基づいた理論による魔法数核の$$beta$$崩壊の再現が可能となり、$$beta$$崩壊予測の信頼性が向上した。

口頭

時間分解反射率法によるフェムト秒レーザーアブレーションの実時間観測

熊田 高之; 赤木 浩; 板倉 隆二; 乙部 智仁; 横山 淳

no journal, , 

フェムト秒レーザーアブレーションには、圧力波により固体試料表層部が機械的に剥離する非熱的なアブレーション過程があると言われている。しかしながら、熱的過程と明瞭に区別できる実験結果が乏しかった。我々は時間分解反射率測定装置を組み上げ、石英試料において非熱的にアブレーションが起きていることを示す、剥離体と試料母体における反射波の干渉を観測することに成功した。

口頭

トポロジカル超伝導体における不純物効果

永井 佑紀; 太田 幸宏

no journal, , 

銅酸化物高温超伝導体や鉄系高温超伝導体に代表される非従来型超伝導体は、様々な産業への応用が期待され世界中で盛んに研究されている。特に、従来とは異なった熱応答や電磁応答を示すトポロジカル超伝導体と呼ばれるカテゴリー群が注目を集めている。そこで、本発表では、トポロジカル超伝導体の超伝導転移温度が不純物に対してどの程度耐性を持つのかを理論的に調べた。なお、上記課題の解決にあたり、トポロジカル超伝導体を特徴付けるトポロジカル量を数値的に精度よく計算する方法を開発した。本発表では、半導体基板上で実現されうるトポロジカル超伝導体を調べた結果を報告する。これらの結果は、超伝導体の基礎特性を明らかにするのみならず、良い特性を持つデバイス開発に資する成果であり、広く原子力分野の材料開発のためのシミュレーション基盤開発にも資する成果である。

口頭

全反射高速陽電子回折法によるAg(111)表面上のシリセンの構造解析

深谷 有喜; 望月 出海*; 前川 雅樹; 和田 健*; 兵頭 俊夫*; 松田 巌*; 河裾 厚男

no journal, , 

シリセンはグラフェンのシリコン版であり、理論的にはグラフェンとは異なる物性の発現も期待される新物質である。シリセン自体は自然界に存在しないため、これまでその合成が試みられていた。最近Ag(111)表面上での合成が報告され、シリセンの物性の実験的な検証が精力的に行われている。理論的にはシリセンのバックリングの大きさに依存することが予想されているが、原子配置は実験的に決定されていなかった。本研究では、全反射高速陽電子回折(TRHEPD)法を用いて、Ag(111)表面上のシリセンからのロッキング曲線を測定し、動力学的回折理論に基づく強度解析を行った。各層間隔をパラメータとして最適化を行った結果、シリセンのバックリングの大きさに関しては、0.83Aと決定した。この値は理論的予測と0.05Aの誤差範囲内で一致する。したがって、シリセンはグラフェンとは異なり、バックリングした構造を形成することが確かめられた。

口頭

High-order harmonics from relativistic electron spikes

Pirozhkov, A. S.; 神門 正城; Esirkepov, T. Z.; Pikuz, T. A.; Faenov, A. Ya.*; 小倉 浩一; 林 由紀雄; 小瀧 秀行; Ragozin, E. N.*; Neely, D.*; et al.

no journal, , 

In recent experiments we discovered bright off-axis harmonics carrying the pulse energy of up to 50 nJ ($$approx 5 times 10^9$$ photons) in the 60-100 eV spectral region, which is one of the best results achieved with compact coherent X-ray sources. We measured the angular divergence. High-resolution images reveal that the harmonics are emitted from two point-like regions with size smaller than a micron, which was predicted by our relativistic electron spikes model.

口頭

パーコレーションモデルによる$$SF_6$$ガス中の放電の特性の解析

佐々木 明; 鳥居 建男; 加藤 進*; 高橋 栄一*; 岸本 泰明*; 藤井 隆*; 金澤 誠司*

no journal, , 

パーコレーションモデルによる、SF$$_6$$ガス中の放電の解析について報告する。SF$$_6$$ガスの電離係数、付着係数を用いて求めた、媒質中の電離領域の生成、消滅の確率を用いてシミュレーションを行なうと、電極付近の短いストリーマが生成、消滅を繰り返す放電の前駆現象から、ステップドリーダーが成長して短絡するまでの過程を再現することができ、放電開始の遅れ時間の実験的な傾向を再現することができる。放電媒質の電離メカニズムに照らし、パーコレーションモデルの適用範囲についても考察する。

口頭

重い電子系反強磁性体CeRh$$_2$$Si$$_2$$における磁気揺らぎ異方性

酒井 宏典; 徳永 陽; 神戸 振作; 松本 裕司*; 芳賀 芳範

no journal, , 

Ising的な磁気秩序モーメントをもつ反強磁性体CeRh$$_2$$Si$$_2$$に注目し、スピン揺らぎの異方性を$$^{29}$$Si-NMR法を用いて詳細に調べた。$$^{29}$$Si核の自然存在比が4.7%と低いため、単結晶NMR測定は一般に困難であるが、$$^{29}$$Si核を約50%に濃縮したCeRh$$_2$$Si$$_2$$単結晶を用いた。磁場を結晶の$$a$$軸、及び$$c$$軸方向に印加し、ナイトシフト、核スピン-格子緩和率を測定した。常圧におけるスピン揺らぎの異方性、及び圧力依存性について報告する。

口頭

AmO$$_2$$における磁気相転移と自己照射損傷効果のNMRによる研究

徳永 陽; 西 剛史; 中田 正美; 酒井 宏典; 神戸 振作; 本間 佳哉*; 本多 史憲*; 青木 大*

no journal, , 

AmO$$_2$$の低温の磁気相転移の起源は発見から30年近くたった現在も未だに謎である。帯磁率では8.5K付近で明確な異常が観測されるが、中性子やメスバウアー分光測定では磁気双極子の秩序は観測されていない。このためNpO$$_2$$と同じ高次多極子の秩序の可能性も指摘されている。今回我々は新たに$$^{17}$$O核を置換したAmO$$_2$$を準備し、それをできる限り短時間でNMR実験サイトへと運び測定を行った。これにより自己照射効果がほぼ存在しない場合の電子状態を確認することができた。さらに同試料を極低温状態に一か月保管することで、自己損傷効果が急激に進み、それによって非常に短時間で磁気秩序相のNMRスペクトルが変化していく様子を観測することができた。本研究により初期の自己損傷効果を微視的に評価をすることができた。講演ではこれらの結果を基にAmO$$_2$$の磁気相転移の起源について議論する予定である。

口頭

レーザー駆動粒子線加速における電子温度計測手法の確立

榊 泰直; 西内 満美子; 前田 祥太; 石田 祥大*; 山下 智弘*; 片平 慶*; Pikuz, T. A.; Faenov, A.*; Esirkepov, T. Z.; Pirozhkov, A. S.; et al.

no journal, , 

原子力機構が研究を進めているレーザー駆動イオン加速においては、高強度フェムト秒レーザーによって数十MeVのイオン加速というや、アルミを高電荷状態にして10MeV/核子に加速するなど、世界でトップクラスのイオン加速が可能な状況になっている。レーザー駆動粒子線加速(陽子や重イオン)を効率的行うためには、その加速メカニズムに寄与するパラメータの一つである電子温度を、イオンの加速エネルギーと関連づけて解析する必要がある。我々は、現在利用している電子温度診断の手法を高度化し、多角的に計測することで精度の高い診断を行うことを目指している。その進捗について講演する。

口頭

共鳴非弾性X線散乱による電子ドープ型銅酸化物超伝導体の磁気・電荷励起

石井 賢司; 藤田 全基*; 佐々木 隆了*; Minola, M.*; Dellea, G.*; Mazzoli, C.*; Kummer, K.*; Ghiringhelli, G.*; Braicovich, L.*; 遠山 貴己*; et al.

no journal, , 

銅酸化物超伝導体において、母物質の反強磁性モット絶縁体からキャリアドープにより金属・超伝導体化していく過程で磁気・電荷励起がどのように変遷してくか、また、それがホールドープと電子ドープでどのように異なるかは、超伝導のみならず強相関電子系のより基本的で重要な問題である。磁気励起については、これまで主に利用されてきた中性子非弾性散乱(INS)に加えて、銅のL$$_3$$吸収端を利用した共鳴非弾性X線散乱(RIXS)が有力な実験手法となってきている。RIXSは高エネルギー磁気励起を広いブリルアンゾーンに渡って観測でき、INSとの相補性が高い。一方、電荷励起のエネルギー・運動量空間での全容解明は、RIXSで研究が可能になったことで緒に就いたばかりである。本講演では、RIXSを用いた電子ドープ型銅酸化物超伝導体Nd$$_{2-x}$$Ce$$_x$$CuO$$_4$$の磁気・電荷励起の研究結果について報告する。

口頭

光陰極電子銃を用いたスミスパーセル放射光実験

西森 信行; 永井 良治; 松葉 俊哉; 羽島 良一

no journal, , 

原子力機構では光陰極電子銃を用いたスミスパーセル放射光実験の準備を進めている。当初使用を予定していた500kV電子銃はコンパクトエネルギー回収リニアック(cERL)に移設され、コミッショニングに利用されている。そこで、運転を休止していた原子力機構250kV-50mA光陰極電子銃の再立ち上げを行い、マイクロバンチ不安定性の研究を目的としたプリバンチスミスパーセル実験、テラヘルツ光源を目的としたスミスパーセルFEL実験の準備を行っている。図に実験セットアップを示す。現状を報告する。

口頭

超高強度レーザーパルスのシングルショット時間コントラスト計測

今 亮; 西内 満美子; 桐山 博光; 榊 泰直; 福田 祐仁; 神門 正城; 近藤 公伯

no journal, , 

超高強度レーザーをターゲットに照射した場合、プレパルスによりメインパルスが到達するよりも先にターゲットがプラズマ化する。このプレプラズマの状態は、レーザー駆動の陽子線加速に大きな影響を及ぼす。本研究では、シングルショットでレーザーの時間コントラストを計測し、プリパルスの強度を明らかにすることを目的する。そのために我々はシングルショットで動作するクロスコリレータの開発を行っている。発表ではその詳細について述べる。

口頭

Current-induced spin polarization on metal surfaces observed by spin-polarized positron beam

Zhang, H.; 山本 春也; Li, H.; 深谷 有喜; 前川 雅樹; 河裾 厚男; 関 剛斎*; 齊藤 英治*; 高梨 弘毅*

no journal, , 

The spin Hall effect (SHE) and the Rashba effect are typical phenomena inducing current-induced spin polarization (CISP). Spin-polarized slow positron beam is a potential probe to study the CISPs of metal surfaces. We prepared Au (25 nm), Cu (25 nm), Pt (25 nm), Pd (25 nm), Ta (10 nm), and W (10 nm) films by magnetron sputtering and studied their CISPs by using a spin-polarized slow positron beam. The figure shows the transverse surface spin polarizations of these films. For the Au and Cu surfaces, CISPs were very small, while the Pt, Pd, Ta, and W films exhibited large CISPs. Furthermore, the CISPs of Ta and W films were opposite to those of Pt and Pd. The signs of CISPs for these metals obey the same rule as their spin Hall angles. This implies that, the observed CISPs are induced by a spin-orbit coupling that is similar to that of SHE. The magnitudes of the CISPs on Pt, Pd, Ta, and W surfaces are explained by the Rashba-Edelstein mechanism rather than the diffusive mechanism of SHE.

口頭

Spin-polarizations on ferromagnet surfaces observed by a spin-polarized positron beam

Li, H.; Zhang, H.; 前川 雅樹; 深谷 有喜; 河裾 厚男

no journal, , 

Surface magnetic properties attract extraordinary interest concerning both fundamental and industrial viewpoints in spintronics. We investigated the surface spin-polarizations of conventional ferromagnets using spin-polarized positron beam (SPPB). The samples were Ni(001), Fe(001) and Co(001)single crystal films grown on MgO(001). After removing oxide over-layers by Ar ion sputtering, these were in-plane magnetized by a magnetic field of 0.04 T. Spin-polarized positron beam of energy of 50 eV was incident on the sample and positronium emitted into vacuum was observed. From the field-reversal effect on spin-triplet Ps formation, we evaluated the surface spin-polarizations. The spin-polarizations are positive 6-7% for Fe an Co, while negative $$sim$$6% for Ni. The absolute values are much smaller than the spin-polarizations at the Fermi levels. Probably, positrons capture electrons located deeper than the Fermi levels. More details about underlying mechanism will be discussed.

口頭

$$^{253}$$Fm, $$^{251}$$Cfの$$alpha$$崩壊核分光によるN=151核の1/2$$^{+}$$[631]準位の同定

浅井 雅人; 塚田 和明; 笠松 良崇*; 岡部 幸男*

no journal, , 

$$^{253}$$Fm, $$^{251}$$Cfの$$alpha$$崩壊核分光により、娘核$$^{249}$$Cf, $$^{247}$$Cmの励起準位に存在する1/2$$^{+}$$[631]準位とその回転励起状態を新たに同定し、中性子数N=151核における1/2$$^{+}$$[631]準位のエネルギー及び$$gamma$$遷移確率、$$alpha$$遷移強度の系統性を明らかにした。これら1/2$$^{+}$$[631]準位の性質は、他のN=151核$$^{251}$$Fmの1/2$$^{+}$$[631]準位の性質とよく類似しており、この類似性を用いることで、より重いN=151核における1/2$$^{+}$$[631]準位を同定できることを示した。

口頭

ウランカルコゲナイド化合物USeS, UTeSの高圧研究

立岩 尚之; 芳賀 芳範; 山本 悦嗣; Fisk, Z.

no journal, , 

ウランカルコゲナイド化合物USeS, UTeSは常圧でそれぞれ24K, 89Kで強磁性転移する半金属である。この系の高圧研究を、高圧下磁化測定を通して行ったので報告する。強磁性転移温度は強い圧力依存を示し、1GPa当たり10K転移温度が増加してゆくことが明らかにされた。本発表では、実験結果とその解釈を示す。

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