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SiでのFermiと非Fermi液体状態神戸 振作; 酒井 宏典; 徳永 陽; Lapertot, G.*; 松田 達磨*; Flouquet, J.*; Knebel, G.*; Walstedt, R. E.*
no journal, ,
最近、強相関電子系金属でのT=0Kの量子相転移(QCPT)に対する関心が強くなっている。初期の実験的な結果から、近藤格子系YbRhSiのQCPTは、Ce系で観察される普通のスピン密度波(SDW)不安定性でなく、新しい局所的QCPTと考えられている。ここで報告される新しい観察において、共存している静的フェルミ液体(FL)と非フェルミ液体(NFL)の共存がYbRhSiのQCPTの鍵となる特徴であることがわかった。そのような共存相はCe系の場合は、短い時間スケールのために隠されていると考えられる。共存層の相対比率に関して見いだされた新しいスケーリング則は、近藤格子システムに広く適用できると考えられる。
(
=Al, Ga)で実現する対照的な基底状態金子 耕士; 川崎 卓郎; 仲村 愛*; 茂吉 武人*; 宗像 孝司*; 中尾 朗子*; 花島 隆泰*; 鬼柳 亮嗣; 大原 高志; 及川 健一; et al.
no journal, ,
価数揺動など多彩な物性を示すEuT
化合物の母物質であるEuX
(=Al,Ga)では、Euは2価の電子状態を取り、S=7/2で記述される物性を示す。EuGaでは、T
=16Kの反強磁性転移を示すのに対し、EuAlは、基底状態に至るまでに5つの転移点を持つ、複雑な物性を示す。この両者における各転移の詳細な描像に関して、単結晶中性子回折を用いて明らかにしたので、報告する。
針井 一哉; 中堂 博之; 小野 正雄; 松尾 衛; 家田 淳一; 岡安 悟; 齊藤 英治; 前川 禎通
no journal, ,
力学的回転とスピンの間には、スピン-回転相互作用と呼ばれる相互作用が働く。近年、測定系を回転させながら核スピン共鳴を測定することで、この相互作用の直接観測に成功した。ここで、回転軸を外部磁場軸から傾けると、測定系に時間変化する磁場を印加できる。時間変化する磁場により生じた幾何学的位相(Berry位相)は核スピン共鳴周波数のシフトとして観測される。この共鳴シフトについて、実験と計算の結果を報告する。
太田 幸宏; 町田 昌彦; 小山 富男*; 松本 秀樹*
no journal, ,
超伝導は、その巨視的コヒーレンスに代表されるような特異な電子状態の性質を有し、その新規デバイス応用は盛んに研究されている。本研究では、層状銅酸化物超伝導体Bi
SrCaCuO
によるテラヘルツ発振について、接合数に対する発振特性を解明するための、マルチスケールシミュレーションの実装に焦点をあてる。従来の発振シミュレーションでは、超伝導メサの
軸方向に周期境界条件を課すため、接合数に応じた発振特性の分析が困難であった。この問題を解決すべく、超伝導メサ内における超伝導位相ダイナミックスにおいて境界からの寄与を陽に加えることで、メサ内で軸方向に非一様性の生成が許される、より現実的なシミュレーションを可能とする手法を開発した。得られた手法をもとに、接合数を20, 100, 200, 500と変化させて、発振ピーク強度やその角度分解の挙動を精査した。
横田 光史
no journal, ,
三角形からなるカクタス格子上の反強磁性ランダムイジング模型をglobal order parameterを導入したレプリカ法を使って調べる。相図を求めて、強磁性相互作用の場合と比較する。格子点を共有する三角形の数による相図の変化についても調べる。
中堂 博之; 小野 正雄; 針井 一哉; 松尾 衛; 家田 淳一; 安岡 弘志; 前川 禎通; 齊藤 英治
no journal, ,
物体を回転するとバーネット磁場が生じることが知られている。最近、我々は物体の回転運動によって原子核に生じるバーネット磁場をNMR法を用いて観測することに成功した。この際に重要であったことは試料と信号検出コイルを同じ角速度で回転し、試料とコイルの間に相対的な回転運動が生じない様にすることであった。一方、高分解能NMRの分野では磁場の不均一から生じる試料内部の磁場分布を平均化するために、試料のみを高速で回転させる手法が古くから行われているが、回転によっていかなる周波数シフトも生じないことが知られている。ここでの回転の自由度は試料の絶対的回転運動と、試料とコイルの間の相対的回転運動であり、この両者が互いに打ち消すために周波数シフトが生じないと考えられる。今回、我々はバーネット効果のNMR測定に使用したコイル回転法を応用し、コイルのみを回転させる手法を開発した。ここでの回転の自由度は、試料が静止しているため、試料と検出部の間の相対回転だけである。コイルのみを回転させながらNMR/NQR法を用いてスペクトルを測定するとNMR周波数が回転数に比例してシフトしていることがわかった。
三水素化物の放射光メスバウアー分光三井 隆也; 瀬戸 誠; 増田 亮*; 平尾 直久*
no journal, ,
典型水素吸蔵合金の一つであるGdFeは、水素化処理により多結晶水素化物を形成するだけでなく水素誘起アモルファス化(HIA)した合金を形成することが知られている。特に、後者は水素吸蔵合金の劣化過程と密接に関した現象であるため、HIA形成過程と合金の基礎物性を明らかにすることに興味がもたれている。一方、GdFe水素化物は水素化による体積膨張や電荷移動に関連して、Fe-Fe, Fe-Gd間の結合状態や磁気交換相互作用が顕著に変化し、水素吸蔵量に依存して大きな物性変化が生じる。更に、HIA化したGdFe水素化物では、上記の水素化効果に加え、合金内でFeとGdが自己組織化してナノクラスター化すると考えられており、特異な物性を示すことが期待され、その物性発現機構を正確な理解には水素侵入時のFeとGdの局所構造変化を観測することが重要となる。本発表では、多結晶a-GdFeH
の単相試料とHIAで得られたa-GdFeHの磁性とFeとGd原子間の結合状態を鉄の放射光核共鳴非弾性散乱と偏光メスバウアー分光を同時に測定できる新手法で調べた結果を紹介する。
の局所構造,2米田 安宏; 小原 真司*; Fu, D.*
no journal, ,
前回の学会ではNaNbOの2体相関分布関数法(PDF)を用いた局所構造解析の結果を報告した。NaNbOは室温以下の広い温度領域でrhombohedral構造とorthorhombic構造が共存していると言われているが、局所構造は全ての温度領域でrhombohedral構造で再現できたことから、NaNbOのground stateはrhombohedral構造であると考えられる。この広い2相共存領域を伴う散漫的な相転移的は、AサイトのNaをLiで置換することによってシャープな相転移へと変化することが知られている。今回はLiを10mol%ドープした(Na
Li
)NbOの局所構造解析を同様に行った。2相共存領域ではpureなNaNbOのBragg反射は散漫的になっていたがLiをドープすることによってシャープなBragg反射へと変化し、局所構造もrhombohedral構造がより安定化することがわかった。
前川 雅樹; Zhou, K.*; 深谷 有喜; Zhang, H.; Li, H.; 河裾 厚男
no journal, ,
陽電子ビームの入射エネルギーを数十eV以下の低速に制御して物質に入射すると、表面電子と水素原子様の結合状態(ポジトロニウム)を形成し真空側に再放出されることが知られている。スピン偏極低速陽電子ビームを用いると、再放出ポジトロニウムの3光子消滅率の磁場依存性から表面電子スピンを検出することができる。ポジトロニウムの形成においては、その仕事関数に相当する準位幅にある電子のみがポジトロニウムの形成に寄与するため、ポジトロニウムの速度分布は電子状態密度に関する知見を与える。すなわち、スピン偏極陽電子ビームを使った表面放出ポジトロニウムの飛行時間測定を行うことで、物質表面の電子状態密度のスピン偏極状態を測定することが可能になると期待される。現在、これまでに我々のグループが開発したスピン偏極陽電子ビームを用いて、スピン偏極ポジトロニウム飛行時間測定(SP-PsTOF)装置の構築を進めている。
の局所構造綿貫 徹; Kim, H.*; Yu, R.*; 町田 晃彦; 榊 浩司*; 中村 優美子*; 水牧 仁一朗*; 東 正樹*
no journal, ,
PbCrOは、平均構造は単純立方晶だが、A-siteにランダムネスを持つ構造をとる。従来、このランダムネスはPb欠損サイトに関するものであり、Pb欠損があることによって生じると報告されていた。我々は、Pb欠損のない試料を作製し、X線2体分布関数法により局所構造を調べたところ、Pb欠損がなくてもランダムネスは存在し、それがPbシフトに起因するものであることを明らかにした。つまり、PbCrOが本質的に「A-siteガラス」構造をとる物質であることが明らかになった。
綿貫 徹; 水牧 仁一朗*; 河村 直己*; 渡辺 真仁*; 新田 清文*; 田中 幸範*; 石政 勉*
no journal, ,
b-Au-Al準結晶は圧力・磁場制御なしに量子臨界点上に位置する物質であり、その量子臨界現象には価数揺らぎが関わることが指摘されている。我々は、低温磁場下でのYb価数についてX線吸収分光(XAS)法を用いて精密評価を行ったところ、価数揺らぎの理論で予測されるような価数の磁場依存性の異常を観測した。
池田 隆司
no journal, ,
土壌からCs-137等の放射性同位元素を効率的に分離回収する技術の開発は、福島の本格除染を実施する上で喫緊の技術課題となっている。本研究では、土壌から放射性セシウムをより効率的に分離回収するための技術開発に資することを目的に、第一原理分子動力学に基づいた化学反応シミュレーションにより、福島の土壌に豊富に含まれる放射性セシウムが吸着しやすい粘土鉱物へのセシウムイオンの吸脱着過程等を原子・分子レベルで調べている。本講演ではバーミキュライトの層間水の構造と層間に含まれるイオン種との関係等について報告する。
安居院 あかね; 櫻井 浩*; 鈴木 宏輔*
no journal, ,
磁気コンプトン散乱とSQUID・VSM等の測定と組み合わせた、スピン選択磁気ヒステリシス曲線(SSMH)および軌道選択磁気ヒステリシス曲線(OSMH)の測定が報告されている。さらに、我々は磁気コンプトンプロファイル)を解析し、元素選択磁気ヒステリシス曲線(ESMH)を測定する手法を開発した。これまでに希土類-遷移金属薄膜について行ったSSMH, OSMHおよびESMHの測定結果を報告する。
久保 勝規
no journal, ,
重い電子系の磁性状態を考えるために、周期アンダーソンモデルを調べる。本研究では変分モンテカルロ法を用いて、基底状態を調べる。変分波動関数としては、常磁性, 反強磁性, 強磁性状態を考える。それぞれの磁性状態に対して、モンテカルロ法によってエネルギーを計算し、エネルギーが最低になる変分パラメーターを決める。計算の結果、ハーフフィルド近傍では反強磁性状態、ハーフフィルドから離れたサイトあたりの電子数がn=1.5の場合には強磁性状態が広いバラメーター領域で実現することがわかった。それぞれの反強磁性相内、強磁性相内でフェルミ面が変化する相転移があることも見出した。
筒井 健二; 森 道康; 遠山 貴巳*
no journal, ,
銅酸化物高温超伝導体における銅L吸収端共鳴非弾性X線散乱スペクトルを、ハバード模型の有限サイズのクラスターに対する数値的厳密対角化法により計算し、ホールドープ系と電子ドープ系での電荷励起に起因する散乱スペクトル強度の違いを議論する。
Siにおける磁気揺らぎ異方性,2酒井 宏典; 徳永 陽; 神戸 振作; 松本 裕司*; 芳賀 芳範
no journal, ,
重い電子系反強磁性体CeRhSiは、常圧で約36Kで反強磁性秩序を示し、約1GPaの圧力で反強磁性が抑制され、超伝導が誘起されることが知られている。前回に引き続き、単結晶を用いて
Si核NMR実験を行い、磁気揺らぎ異方性の圧力依存性を調べている。講演では、最新の実験結果を報告し議論したい。
永井 佑紀; 太田 幸宏; 町田 昌彦
no journal, ,
銅酸化物高温超伝導体や鉄系高温超伝導体に代表される非従来型超伝導体は、様々な産業への応用が期待され世界中で盛んに研究されている。特に、従来と異なった電磁応答や熱応答を示すトポロジカル超伝導体と呼ばれる物質群が注目を集めており、その基礎物性を調べることは重要である。本発表では、トポロジカル絶縁体BiSeに銅を導入して作成される超伝導体の不純物に対する耐性を調べた。上記課題の解決にあたり、トポロジカル超伝導体の不純物耐性が銅の導入量によって大きく変化することを見いだし、数値計算によってその振る舞いを確かめた。これらの結果は、超伝導体の基礎物性を明らかにするのみならず、良い物性を持つデバイス開発に資する成果であり、広く原子力分野の材料開発のためのシミュレーション基盤開発にも資する成果である。
森林 健悟
no journal, ,
電場による脳腫瘍の治療の臨床実験が行われたが、その治療のメカニズムとして電場が細胞中の極性分子を活発に運動させるためと考えられている。そこで、重粒子線照射で強い電場が生じることを以前のシミュレーション研究で明らかにしたが、この電場も極性分子に影響与える可能性があると考え、極性分子の運動の研究を行うことにした。最初の研究として、極性分子のうち細胞中に最も多い水分子を取り扱い、重粒子線照射で生じる水分子イオンのクーロン爆発及び水分子イオンが作りだす電場による中性分子の回転、並進運動のシミュレーションを行った。その結果、イオンの運動では、照射後100フェムト秒程度で移動をはじめ、電場は重粒子線の軌道付近では減少させるが、軌道から1nm以上離れた場所では、変化しないことがわかった。また、中性の水分子は重粒子線の軌道方向に運動すること及び軌道付近において中性の水分子の密度が増加することもわかった。すなわち、重粒子線で生じる電場は、極性分子に大きな影響を与える可能性があることを明らかにした。
深谷 有喜; 圓谷 志郎; 境 誠司; 前川 雅樹; 望月 出海*; 和田 健*; 兵頭 俊夫*; 河裾 厚男
no journal, ,
グラフェンは、現在最も注目されている新物質であり、その物性評価が精力的に進められている。これまでに様々な基板上で、グラフェンの合成が試みられているが、その物性に大きくかかわる基板との距離を実験的に決定した例は意外と少ない。本研究では、全反射高速陽電子回折(TRHEPD)法を用いて、Cu(111)表面上のグラフェンの原子配置を決定した。ロッキング曲線の測定と動力学的回折理論に基づく強度解析から、グラフェンとCu基板との間隔を3.3Aと決定した。解析においては、グラフェンのバックリングの効果も考慮に入れたが、計算結果に優位な改善は見られなかった。したがって、グラフェンは平坦な構造であり、そのCu基板との間隔は、グラファイトの層間距離に近いことがわかった。
Asの磁気形状因子の面内異方性樹神 克明; 石角 元志*; 脇本 秀一; 木方 邦宏*; Lee, C.-H.*; 伊豫 彰*; 永崎 洋*; 社本 真一
no journal, ,
鉄系超伝導体の母相における磁気形状因子の面内異方性を調べる目的で、双晶構造をもたないBaFeAs単結晶を用いて中性子回折実験を行った。反強磁性状態における磁気散乱強度から見積もられた磁気形状因子は、3d
軌道の電子が40%、それ以外の4つの3d軌道の電子が15%ずつ磁気モーメントに寄与するとして説明できる。このような磁気形状因子の面内異方性は、これまで鉄系超伝導体の母相の反強磁性相で観測されてきた異方的ふるまいの理解につながるものと考えられる。