検索対象:     
報告書番号:
※ 半角英数字
 年 ~ 
 年
検索結果: 46 件中 1件目~20件目を表示

発表形式

Initialising ...

選択項目を絞り込む

掲載資料名

Initialising ...

発表会議名

Initialising ...

筆頭著者名

Initialising ...

キーワード

Initialising ...

発表言語

Initialising ...

発行年

Initialising ...

開催年

Initialising ...

選択した検索結果をダウンロード

口頭

パーコレーション転移に伴う蛋白質水和水の水素結合ダイナミクスの変化

中川 洋; 片岡 幹雄

no journal, , 

蛋白質の水和研究のモデル蛋白質である、スタフィロコッカルヌクレアーゼを用いて、0.1$$sim$$0.6(g水/g蛋白質)のいくつかの水分量で、分子シミュレーションと中性子非弾性散乱を行い、水和水の水素結合ダイナミクスや拡散を調べた。その結果、水和水の個々の水素結合ダイナミクスは、水分量に関係なく局所的な水素結合の形成パターンによって決まることが分かり、また蛋白質表面での水和水のパーコレーション転移によって、水和水全体のダイナミクスが劇的に変化することが分かった。このパーコレーション転移に伴う水和水ダイナミクスの変化は、中性子非弾性散乱で求めた拡散定数の水分量変化からも確認した。また、水和水の間の水素結合ダイナミクスは、蛋白質と水和水の間の水素結合ダイナミクスと相関があり、両者は動的にカップルしていることが分かった。水和水の水素結合ネットワークのパーコレーション転移は、水和水の物理化学的特性を決定付ける重要な要因であるとともに、生理的機能発現に重要とされる蛋白質の熱揺らぎを誘導していると考えられる。

口頭

高温超伝導体における過剰酸素および酸素欠損によるエネルギー ギャップの空間不均一性

森 道康; 遠山 貴己; 前川 禎通

no journal, , 

銅酸化物高温超伝導体では、結晶中における酸素原子の存在形態と物 性との相関を理解することが重要である。Bi系銅酸化物では、過剰酸素や頂点酸 素の欠損などにより、エネルギーギャップが空間的に不均一となっている。数値 計算を用いて、過剰酸素や酸素欠損と超伝導との相関を議論する。

口頭

S=1/2三本鎖スピンチューブの量子相転移

坂井 徹; 中野 博生*; 奥西 巧一*

no journal, , 

S=1/2三本鎖スピンチューブの鎖方向の反強磁性相互作用と鎖間方向の反強磁性相互作用の比を変えたときに起きる、スピンギャップ相とギャップレス相の間の量子相転移の臨界点を、42スピンまでの大規模数値対角化とレベルスペクトロスコピー及び密度行列繰り込み群で解析した結果を報告する。

口頭

リング交換相互作用のあるスピンナノチューブの数値シミュレーション研究

笠原 稔弘*; 肘井 敬吾*; 坂井 徹

no journal, , 

リング交換相互作用のあるスピンナノチューブについて、数値対角化によるシミュレーションにより理論的に研究した。その結果、十分強いリング交換相互作用がある場合には元の基底状態とは異なるシングレットダイマー構造によるスピンギャップ相が実現することがわかった。

口頭

U(Rh$$_{1-x}$$Co$$_{x}$$)GeのNMRによる研究

徳永 陽; 青木 大*; Mayaffre, H.*; Kr$"a$mer, S.*; Berthier, C.*; Horvati$'c$, M.*; 酒井 宏典; 神戸 振作

no journal, , 

ウラン化合物の強磁性超伝導では、同じウランの遍歴5f電子が強磁性と超伝導を同時に担っている。このことは強磁性揺らぎを媒介とした非BCS型の超伝導機構の存在を直感的に示唆している。またURhGeでは磁場によって誘起される新しい超伝導相も確認されている。さらに超伝導のみならずURhGeとUCoGeの遍歴強磁性はそれ自体が非常に興味深い研究対象である。我々は両者の混晶系U(Rh$$_{1-x}$$Co$$_{x}$$)GeにおいてNMR研究を行い、微視的観点から磁性と超伝導の関係を探っている。講演ではその最新の成果について報告する。

口頭

EUV-FEL励起He(1snp)からの超蛍光; ストリークカメラを用いた観測

Harries, J.; 岩山 洋士*; 永園 充*; 富樫 格*; 久間 晋*; 中嶋 享*; 繁政 英治*

no journal, , 

Following excitation of 1s3p atoms in a sample of pressures around 3000 Pa the dominant mode of decay was found to be superfluorescence at 501.6 nm. At higher densities superfluorescence on other transitions, 3d-2p at 667.8 nm and 3s-2p at 728.1 nm was also observed. Using filters in front of a streak camera, we have characterized this competitive process. Further, we have studied excitation at 52.2 nm, corresponding to 1s4p excitation. Emission at 667.8 nm emission was found to be dominant, indicating two-step cascade superfluorescence 4p-3d-2p.

口頭

シングルバンチ放射光を用いたNeの時間分解蛍光寿命測定

鈴木 紀裕*; 名越 達郎*; 依田 優美*; 井上 直樹*; Harries, J.; 小池 文博*; 東 善郎*

no journal, , 

In this work we recorded the total ion and fluorescence yield spectra in the region of the Neon 2s2p$$^5(^3 rm P)3 rm p^2(^1rm P_1$$) double excitation resonance, near 73.8 eV. Whereas a Fano-like profile was observed in the fluorescence yield spectrum, no structure was visible in the ion yield spectrum. Thus this state appears stable against auto-ionization. Using single-photon counting during single-bunch operation we have separated the fluorescence into three separate components, and it is hoped that these will provide clues to the excitation and decay processes.

口頭

三角カクタス格子上の反強磁性ランダムイジング模型

横田 光史

no journal, , 

三角形からなるカクタス格子上の反強磁性ランダムイジング模型をglobal order parameterを導入したレプリカ法を使って調べる。相図を求めて、強磁性相互作用の場合と比較する。格子点を共有する三角形の数による相図の変化についても調べる。

口頭

高速C$$_{60}$$$$^{+}$$イオン透過によるSiN薄膜上のアミノ酸の前方二次イオン放出,2

中嶋 薫*; 丸毛 智矢*; 永野 賢悟*; 木村 健二*; 鳴海 一雅; 齋藤 勇一

no journal, , 

高分子/生体分子の二次イオン質量分析においては目的の分子を壊さずに効率よくイオン化して放出させることが重要になる。我々はアミノ酸試料(フェニルアラニン)の基板に自立薄膜(非晶質SiN)を使用して、MeV C$$_{60}$$イオンを基板(SiN)側から照射することで前方(下流)に放出される分子イオン収量の向上及び分子イオンの断片化(フラグメンテーション)抑制に関わる有効性を調べている。これまでに二次イオン出射面での一次イオンからのエネルギー付与密度がC$$_{60}$$イオンによるものよりも、C$$_{60}$$が解離して炭素原子間距離が広がることによりエネルギー付与密度が適度に小さくなった方が無傷の分子イオン収量が向上し、かつ断片化がより抑制されることを明らかにした。今回は、試料の上流に設置した別のSiN薄膜でC$$_{60}$$$$^{+}$$イオンを分解させて得た、60個の炭素原子(イオン)を同時に試料に照射したときの二次イオンの質量分析を行った。すなわち、炭素原子間距離が極端に大きい場合を検討した。その結果、フェニルアラニンの分子イオン収量は$$sim$$0であり、また、フェニルアラニン分子に特徴的な高分子量フラグメントイオンは収量が相対的に小さくなった。この結果は、高い分子イオン収量と断片化の抑制を両立させるためには、クラスター照射によってもたらされる適度なエネルギー付与密度が重要であることを示唆している。

口頭

C$$_{60}$$イオン照射による非晶質SiNのスパッタリング

北山 巧*; 森田 陽亮*; 中嶋 薫*; 鳴海 一雅; 齋藤 勇一; 松田 誠; 左高 正雄*; 木村 健二*

no journal, , 

非晶質SiN膜へのサブMeV C$$_{60}$$イオン照射では、スパッタリング収量(入射イオン1個当たりのスパッタされる標的原子数)が数千個に達するが、この観測結果は弾性衝突によるスパッタリング(弾性的スパッタリング)では説明できない。一方、非晶質SiN膜への100MeV Xe$$^{25+}$$イオン照射では、C$$_{60}$$イオンに比べて電子的阻止能が大きいにもかかわらず観測されたスパッタリング収量は非常に小さく、この阻止能に依存するスパッタリング(電子的スパッタリング)でも冒頭の観測結果が説明できないことが明らかになった。本研究では、核的阻止能と電子的阻止能の比が異なるエネルギーでC$$_{60}$$イオンを非晶質SiN膜に照射し、各阻止能がスパッタリング収量にどのように影響するかを調べた。得られた結果を基に、冒頭に述べた観測結果が電子的スパッタリングと弾性的スパッタリングの相乗効果を考えることにより説明可能であることを報告する。

口頭

Magnetic phases in pseudoternary system UCo$$_{1-x}$$Ru$$_x$$Al

Pospisil, J.; 芳賀 芳範; 立岩 尚之; 山本 悦嗣

no journal, , 

UCoAl and URuAl remain paramagnetic at temperatures at least down to 30 mK. At He temperatures, UCoAl shows a metamagnetic transition at a magnetic field of 0.6 T applied along the c-axis. Despite the paramagnetism of parent compounds a huge dome of stable ferromagnetism exists over a wide concentration range of pseudoternary UCo$$_{1-x}$$Ru$$_x$$Alcompounds. For x $$>$$ 0.4, there seems to exist two ferromagnetic phases depending on temperature. We have grown three single crystals of the representative composition x = 0.56, 0.70 and 0.78, respectively, and investigated the character and temperature range of stability of the two ferromagnetic phases. A scenario will be discussed considering different coherence of the two magnetically ordered phases.

口頭

ウラン系強磁性超伝導物質UGe$$_2$$とURhGeの強磁性転移に伴う臨界現象について

立岩 尚之; 芳賀 芳範; 松田 達磨*; 山本 悦嗣; Fisk, Z.

no journal, , 

ウラン強磁性超伝導物質UGe$$_2$$とURhGeの強磁性転移に伴う臨界現象を磁化測定により調べた。スケーリング理論等を用いた解析からこれらウラン系強磁性超伝導物質の臨界現象は非従来型であることが明らかになった。その起源について議論する。

口頭

UT$$_2$$Al$$_{20}$$(T:遷移金属)の物質探索と電子状態

芳賀 芳範; 松本 裕司*; 立岩 尚之; 山本 悦嗣; Fisk, Z.; 播磨 尚朝*; 本間 佳哉*; 本多 史憲*; 青木 大*

no journal, , 

UT$$_2$$Al$$_{20}$$(T:遷移金属)は立方晶CeCr$$_2$$Al$$_{20}$$型結晶構造をとる。我々はT=Cr, Ti, Mo, Wについて単結晶育成に成功し、その物性を調べた。これらの物質は全てパウリ常磁性を示し、磁気秩序は持たないことがわかった。このことは、ウランサイトが多数のAlに取り囲まれ、その結果混成が大きく、5f電子が遍歴電子となっていることを意味している。

口頭

スピン偏極ポジトロニウム飛行時間測定(SP-PsTOF)装置の構築

前川 雅樹; Zhou, K.*; 深谷 有喜; Zhang, H.; Li, H.; 河裾 厚男

no journal, , 

陽電子ビームの入射エネルギーを数十eV以下の低速に制御して物質に入射すると、表面電子と水素原子様の結合状態(ポジトロニウム)を形成し真空側に再放出されることが知られている。スピン偏極低速陽電子ビームを用いると、再放出ポジトロニウムの3光子消滅率の磁場依存性から表面電子スピンを検出することができる。ポジトロニウムの形成においては、その仕事関数に相当する準位幅にある電子のみがポジトロニウムの形成に寄与するため、ポジトロニウムの速度分布は電子状態密度に関する知見を与える。すなわち、スピン偏極陽電子ビームを使った表面放出ポジトロニウムの飛行時間測定を行うことで、物質表面の電子状態密度のスピン偏極状態を測定することが可能になると期待される。現在、これまでに我々のグループが開発したスピン偏極陽電子ビームを用いて、スピン偏極ポジトロニウム飛行時間測定(SP-PsTOF)装置の構築を進めている。

口頭

Charge-to-spin conversion at Bi/Ag bilayers probed by spin-polarized positron beam

Zhang, H.; 山本 春也; 前川 雅樹; 河裾 厚男

no journal, , 

The Rashba effect is a typical physical phenomenon resulting current-induced spin polarization (CISP) in a two-dimensional electron gas system due to the spin-orbit coupling and the potential gradient at the surface or interface. Spin-polarized positron beam is a newly developed experimental technique to study the CISP on metallic nanofilms, since the formation fraction of spin-triplet Ps (positron-electron bound state) is altered by the spin polarization of the outermost electrons. In 2007, giant Rashba effect was found at Bi/Ag surface alloy. Recently, the spin-to-charge conversion was experimentally realized at Bi/Ag interface. The efficiency of the spin-to-charge conversion is in an order of: Bi/Ag $$>$$ Bi $$>$$ Ag. We deposited Ag (25 nm), Bi (500 nm), and Bi (0.3, 1, 12 nm)/Ag (25 nm) films on Al$$_{2}$$O$$_{3}$$ substrates and studied the CISP by using a spin-polarized positron beam. The efficiency of the charge-to-spin conversion (inverse of spin-to-charge conversion) in the same order (Bi/Ag $$>$$ Bi $$>$$ Ag) is consistent with the spin-to-charge conversion efficiency in Ref. 3. The continuous decrease of surface spin polarization of Bi (0.3, 1, 12 nm)/Ag (25 nm) with increasing Bi thickness clarifies that the diffusion of electron spins from Bi/Ag interface to the outermost Bi surface.

口頭

YbRh$$_2$$Si$$_2$$でのFermiと非Fermi液体状態

神戸 振作; 酒井 宏典; 徳永 陽; Lapertot, G.*; 松田 達磨*; Flouquet, J.*; Knebel, G.*; Walstedt, R. E.*

no journal, , 

最近、強相関電子系金属でのT=0Kの量子相転移(QCPT)に対する関心が強くなっている。初期の実験的な結果から、近藤格子系YbRh$$_2$$Si$$_2$$のQCPTは、Ce系で観察される普通のスピン密度波(SDW)不安定性でなく、新しい局所的QCPTと考えられている。ここで報告される新しい観察において、共存している静的フェルミ液体(FL)と非フェルミ液体(NFL)の共存がYbRh$$_2$$Si$$_2$$のQCPTの鍵となる特徴であることがわかった。そのような共存相はCe系の場合は、短い時間スケールのために隠されていると考えられる。共存層の相対比率に関して見いだされた新しいスケーリング則は、近藤格子システムに広く適用できると考えられる。

口頭

Eu$$X_4$$($$X$$=Al, Ga)で実現する対照的な基底状態

金子 耕士; 川崎 卓郎; 仲村 愛*; 茂吉 武人*; 宗像 孝司*; 中尾 朗子*; 花島 隆泰*; 鬼柳 亮嗣; 大原 高志; 及川 健一; et al.

no journal, , 

価数揺動など多彩な物性を示すEuT$$_2X_2$$化合物の母物質であるEuX$$_4$$($$X$$=Al,Ga)では、Euは2価の電子状態を取り、S=7/2で記述される物性を示す。EuGa$$_4$$では、T$$_N$$=16Kの反強磁性転移を示すのに対し、EuAl$$_4$$は、基底状態に至るまでに5つの転移点を持つ、複雑な物性を示す。この両者における各転移の詳細な描像に関して、単結晶中性子回折を用いて明らかにしたので、報告する。

口頭

銅酸化物高温超伝導体のL端共鳴非弾性X線散乱に対する理論的研究

筒井 健二; 森 道康; 遠山 貴巳*

no journal, , 

銅酸化物高温超伝導体における銅L吸収端共鳴非弾性X線散乱スペクトルを、ハバード模型の有限サイズのクラスターに対する数値的厳密対角化法により計算し、ホールドープ系と電子ドープ系での電荷励起に起因する散乱スペクトル強度の違いを議論する。

口頭

回転NMRにおける幾何学的位相

針井 一哉; 中堂 博之; 小野 正雄; 松尾 衛; 家田 淳一; 岡安 悟; 齊藤 英治; 前川 禎通

no journal, , 

力学的回転とスピンの間には、スピン-回転相互作用と呼ばれる相互作用が働く。近年、測定系を回転させながら核スピン共鳴を測定することで、この相互作用の直接観測に成功した。ここで、回転軸を外部磁場軸から傾けると、測定系に時間変化する磁場を印加できる。時間変化する磁場により生じた幾何学的位相(Berry位相)は核スピン共鳴周波数のシフトとして観測される。この共鳴シフトについて、実験と計算の結果を報告する。

口頭

3次元マルチスケールシミュレーションによるテラヘルツ発振特性の解析

太田 幸宏; 町田 昌彦; 小山 富男*; 松本 秀樹*

no journal, , 

超伝導は、その巨視的コヒーレンスに代表されるような特異な電子状態の性質を有し、その新規デバイス応用は盛んに研究されている。本研究では、層状銅酸化物超伝導体Bi$$_{2}$$Sr$$_{2}$$CaCuO$$_{8}$$によるテラヘルツ発振について、接合数に対する発振特性を解明するための、マルチスケールシミュレーションの実装に焦点をあてる。従来の発振シミュレーションでは、超伝導メサの$$c$$軸方向に周期境界条件を課すため、接合数に応じた発振特性の分析が困難であった。この問題を解決すべく、超伝導メサ内における超伝導位相ダイナミックスにおいて境界からの寄与を陽に加えることで、メサ内で$$c$$軸方向に非一様性の生成が許される、より現実的なシミュレーションを可能とする手法を開発した。得られた手法をもとに、接合数を20, 100, 200, 500と変化させて、発振ピーク強度やその角度分解の挙動を精査した。

46 件中 1件目~20件目を表示