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口頭

AMS装置における妨害核種のガスカウンター入射によるパルスベースラインの揺らぎの機構

松原 章浩; 藤田 奈津子; 西澤 章光*; 三宅 正恭*

no journal, , 

加速器質量分析(Accelerator Mass Spectrometry: AMS)では、測定目的である核種と等しい比電荷を持つ核種(主として同重体)は電磁界フィルターでは分別されず、目的核種と同様にガスカウンターに入射する。このため、双方のエネルギースペクトルの差を利用して両者を分別している。本研究では分別性能の向上を目指し、そのスペクトルの基になるパルストレースに及ぼす同重体入射の影響を実験的に調べた。観測の結果、ガスセルのガス圧を下げ、入射エネルギーを増加させるとパルストレースのベースラインが著しく揺らぐことが分かった。その揺らぎは、$$^{10}$$Bの多重入射によってガスカウンター内に正電荷が蓄積するが、その損失過程に介在するある不安定性によって発生すると考えられる。不安定性として蓄積した電荷に閾値を持つ緩和振動に着目している。

口頭

銅酸化物高温超伝導体のL端共鳴非弾性X線散乱に対する理論的研究

筒井 健二; 森 道康; 遠山 貴巳*

no journal, , 

銅酸化物高温超伝導体における銅L吸収端共鳴非弾性X線散乱スペクトルを、ハバード模型の有限サイズのクラスターに対する数値的厳密対角化法により計算し、ホールドープ系と電子ドープ系での電荷励起に起因する散乱スペクトル強度の違いを議論する。

口頭

全反射高速陽電子回折法によるCu(111)表面上のグラフェンの構造解析

深谷 有喜; 圓谷 志郎; 境 誠司; 前川 雅樹; 望月 出海*; 和田 健*; 兵頭 俊夫*; 河裾 厚男

no journal, , 

グラフェンは、現在最も注目されている新物質であり、その物性評価が精力的に進められている。これまでに様々な基板上で、グラフェンの合成が試みられているが、その物性に大きくかかわる基板との距離を実験的に決定した例は意外と少ない。本研究では、全反射高速陽電子回折(TRHEPD)法を用いて、Cu(111)表面上のグラフェンの原子配置を決定した。ロッキング曲線の測定と動力学的回折理論に基づく強度解析から、グラフェンとCu基板との間隔を3.3Aと決定した。解析においては、グラフェンのバックリングの効果も考慮に入れたが、計算結果に優位な改善は見られなかった。したがって、グラフェンは平坦な構造であり、そのCu基板との間隔は、グラファイトの層間距離に近いことがわかった。

口頭

BaFe$$_2$$As$$_2$$の磁気形状因子の面内異方性

樹神 克明; 石角 元志*; 脇本 秀一; 木方 邦宏*; Lee, C.-H.*; 伊豫 彰*; 永崎 洋*; 社本 真一

no journal, , 

鉄系超伝導体の母相における磁気形状因子の面内異方性を調べる目的で、双晶構造をもたないBaFe$$_2$$As$$_2$$単結晶を用いて中性子回折実験を行った。反強磁性状態における磁気散乱強度から見積もられた磁気形状因子は、3d$$_{yz}$$軌道の電子が40%、それ以外の4つの3d軌道の電子が15%ずつ磁気モーメントに寄与するとして説明できる。このような磁気形状因子の面内異方性は、これまで鉄系超伝導体の母相の反強磁性相で観測されてきた異方的ふるまいの理解につながるものと考えられる。

口頭

表面プラズモン駆動スピンポンプの理論

安立 裕人; 前川 禎通

no journal, , 

近年、強磁性(絶縁体も可)のスピンダイナミクスを用いて電流を伴わない純スピン流をターゲットに注入する「スピンポンプ」という手法が、電荷移動を必要としない有効なスピン注入法として急速に普及している。スピンポンプは振動磁場を用いたスピン源の強磁性共鳴)により駆動される。しかしごく最近、可視光を用いて金微粒子(スピン源であるイットリウム鉄ガーネットに埋め込んである)の表面プラズモン共鳴を引き起こし、この表面プラズモン共鳴が駆動するスピンポンプ現象が観測された。講演では、マグノン・ラマン散乱を介したプラズモン・スピンポンプのプロセスを中心に議論する。

口頭

SF$$_6$$ガス中の放電のパーコレーションモデルによるシミュレーションのモデル、パラメータ依存性についての考察

佐々木 明; 鳥居 建男; 加藤 進*; 高橋 栄一*; 藤井 隆*; 金澤 誠司*

no journal, , 

媒質中にランダムに電離し、導体になった部分が生成し、それが互いに接続して放電が起こると考えるパーコレーションモデルを用いた放電のシミュレーションを行っている。媒質中で時間とともに電離が進行する単純なパーコレーションモデルでは、電離領域の割合が理論的な閾値を超えると放電が起こるという結果を得るが、媒質中には電離領域の生成過程とともに、再結合や付着による消滅過程があり、その確率は媒質の物性や印加電界などの条件に依存すると考えられる。電離領域の生成と消滅の確率を、絶縁ガスとして用いられるSF$$_6$$の電離および付着係数をもとに定め、前者が電界に比例して増加し、後者が反比例して減少すると考え、かつ放電電流が流れると媒質が加熱され、付着の確率が減少すると考えるモデルを用いると、電界を印加された媒質中において、初期に部分放電が生じ、統計的な遅れ時間を経て急速なステップ状のストリーマの成長が起こる特性が再現される。

口頭

NMR/NQR測定法を用いたバーネット効果と回転ドップラー効果の観測

中堂 博之; 小野 正雄; 針井 一哉; 松尾 衛; 家田 淳一; 安岡 弘志; 前川 禎通; 齊藤 英治

no journal, , 

物体を回転するとバーネット磁場が生じることが知られている。最近、我々は物体の回転運動によって原子核に生じるバーネット磁場をNMR法を用いて観測することに成功した。この際に重要であったことは試料と信号検出コイルを同じ角速度で回転し、試料とコイルの間に相対的な回転運動が生じない様にすることであった。一方、高分解能NMRの分野では磁場の不均一から生じる試料内部の磁場分布を平均化するために、試料のみを高速で回転させる手法が古くから行われているが、回転によっていかなる周波数シフトも生じないことが知られている。ここでの回転の自由度は試料の絶対的回転運動と、試料とコイルの間の相対的回転運動であり、この両者が互いに打ち消すために周波数シフトが生じないと考えられる。今回、我々はバーネット効果のNMR測定に使用したコイル回転法を応用し、コイルのみを回転させる手法を開発した。ここでの回転の自由度は、試料が静止しているため、試料と検出部の間の相対回転だけである。コイルのみを回転させながらNMR/NQR法を用いてスペクトルを測定するとNMR周波数が回転数に比例してシフトしていることがわかった。

口頭

「A-siteガラス」PbCrO$$_{3}$$の局所構造

綿貫 徹; Kim, H.*; Yu, R.*; 町田 晃彦; 榊 浩司*; 中村 優美子*; 水牧 仁一朗*; 東 正樹*

no journal, , 

PbCrO$$_{3}$$は、平均構造は単純立方晶だが、A-siteにランダムネスを持つ構造をとる。従来、このランダムネスはPb欠損サイトに関するものであり、Pb欠損があることによって生じると報告されていた。我々は、Pb欠損のない試料を作製し、X線2体分布関数法により局所構造を調べたところ、Pb欠損がなくてもランダムネスは存在し、それがPbシフトに起因するものであることを明らかにした。つまり、PbCrO$$_{3}$$が本質的に「A-siteガラス」構造をとる物質であることが明らかになった。

口頭

Yb-Au-Al準結晶の低温におけるYb価数の磁場依存性

綿貫 徹; 水牧 仁一朗*; 河村 直己*; 渡辺 真仁*; 新田 清文*; 田中 幸範*; 石政 勉*

no journal, , 

b-Au-Al準結晶は圧力・磁場制御なしに量子臨界点上に位置する物質であり、その量子臨界現象には価数揺らぎが関わることが指摘されている。我々は、低温磁場下でのYb価数についてX線吸収分光(XAS)法を用いて精密評価を行ったところ、価数揺らぎの理論で予測されるような価数の磁場依存性の異常を観測した。

口頭

パーコレーション転移に伴う蛋白質水和水の水素結合ダイナミクスの変化

中川 洋; 片岡 幹雄

no journal, , 

蛋白質の水和研究のモデル蛋白質である、スタフィロコッカルヌクレアーゼを用いて、0.1$$sim$$0.6(g水/g蛋白質)のいくつかの水分量で、分子シミュレーションと中性子非弾性散乱を行い、水和水の水素結合ダイナミクスや拡散を調べた。その結果、水和水の個々の水素結合ダイナミクスは、水分量に関係なく局所的な水素結合の形成パターンによって決まることが分かり、また蛋白質表面での水和水のパーコレーション転移によって、水和水全体のダイナミクスが劇的に変化することが分かった。このパーコレーション転移に伴う水和水ダイナミクスの変化は、中性子非弾性散乱で求めた拡散定数の水分量変化からも確認した。また、水和水の間の水素結合ダイナミクスは、蛋白質と水和水の間の水素結合ダイナミクスと相関があり、両者は動的にカップルしていることが分かった。水和水の水素結合ネットワークのパーコレーション転移は、水和水の物理化学的特性を決定付ける重要な要因であるとともに、生理的機能発現に重要とされる蛋白質の熱揺らぎを誘導していると考えられる。

口頭

高温超伝導体における過剰酸素および酸素欠損によるエネルギー ギャップの空間不均一性

森 道康; 遠山 貴己; 前川 禎通

no journal, , 

銅酸化物高温超伝導体では、結晶中における酸素原子の存在形態と物 性との相関を理解することが重要である。Bi系銅酸化物では、過剰酸素や頂点酸 素の欠損などにより、エネルギーギャップが空間的に不均一となっている。数値 計算を用いて、過剰酸素や酸素欠損と超伝導との相関を議論する。

口頭

S=1/2三本鎖スピンチューブの量子相転移

坂井 徹; 中野 博生*; 奥西 巧一*

no journal, , 

S=1/2三本鎖スピンチューブの鎖方向の反強磁性相互作用と鎖間方向の反強磁性相互作用の比を変えたときに起きる、スピンギャップ相とギャップレス相の間の量子相転移の臨界点を、42スピンまでの大規模数値対角化とレベルスペクトロスコピー及び密度行列繰り込み群で解析した結果を報告する。

口頭

リング交換相互作用のあるスピンナノチューブの数値シミュレーション研究

笠原 稔弘*; 肘井 敬吾*; 坂井 徹

no journal, , 

リング交換相互作用のあるスピンナノチューブについて、数値対角化によるシミュレーションにより理論的に研究した。その結果、十分強いリング交換相互作用がある場合には元の基底状態とは異なるシングレットダイマー構造によるスピンギャップ相が実現することがわかった。

口頭

時間分解反射率の振動から探る高分子のフェムト秒レーザーアブレーション

熊田 高之; 赤木 浩; 板倉 隆二; 乙部 智仁; 横山 淳

no journal, , 

フェムト秒レーザーアブレーションされた高分子試料の時間分解反射率に、60-100ps周期の振動が観測された。周期がプローブ光波長に正比例する等の理由から、この振動は試料表面と非熱効果により生じた膜上剥離体における反射波の干渉と結論つけた。本結果は熱耐性が非常に低い高分子においても非熱効果が重要な役割を担うことを示す。

口頭

非弾性X線散乱による鉄系超伝導体SrFe$$_2$$As$$_2$$のフォノン分散における磁気秩序の影響

村井 直樹*; 福田 竜生; 内山 裕士*; 筒井 智嗣*; 石川 大介*; 小林 達也*; 中村 博樹; 町田 昌彦; 中島 正道*; 宮坂 茂樹*; et al.

no journal, , 

鉄系超伝導体の母物質であるSrFe$$_2$$As$$_2$$は約200Kで磁気相転移を伴った正方晶から斜方晶への構造相転移を示す。我々は、一軸圧の印加により非双晶化されたSrFe$$_2$$As$$_2$$に対して非弾性X線散乱実験を行い、磁気・構造転移に伴う特異なフォノン異方性の有無を調べた。本講演では観測された強いフォノン異方性の詳細について議論する。

口頭

変分モンテカルロ法による周期アンダーソンモデルの磁性状態の研究

久保 勝規

no journal, , 

重い電子系の磁性状態を考えるために、周期アンダーソンモデルを調べる。本研究では変分モンテカルロ法を用いて、基底状態を調べる。変分波動関数としては、常磁性, 反強磁性, 強磁性状態を考える。それぞれの磁性状態に対して、モンテカルロ法によってエネルギーを計算し、エネルギーが最低になる変分パラメーターを決める。計算の結果、ハーフフィルド近傍では反強磁性状態、ハーフフィルドから離れたサイトあたりの電子数がn=1.5の場合には強磁性状態が広いバラメーター領域で実現することがわかった。それぞれの反強磁性相内、強磁性相内でフェルミ面が変化する相転移があることも見出した。

口頭

EUV-FEL励起He(1snp)からの超蛍光; ストリークカメラを用いた観測

Harries, J.; 岩山 洋士*; 永園 充*; 富樫 格*; 久間 晋*; 中嶋 享*; 繁政 英治*

no journal, , 

Following excitation of 1s3p atoms in a sample of pressures around 3000 Pa the dominant mode of decay was found to be superfluorescence at 501.6 nm. At higher densities superfluorescence on other transitions, 3d-2p at 667.8 nm and 3s-2p at 728.1 nm was also observed. Using filters in front of a streak camera, we have characterized this competitive process. Further, we have studied excitation at 52.2 nm, corresponding to 1s4p excitation. Emission at 667.8 nm emission was found to be dominant, indicating two-step cascade superfluorescence 4p-3d-2p.

口頭

シングルバンチ放射光を用いたNeの時間分解蛍光寿命測定

鈴木 紀裕*; 名越 達郎*; 依田 優美*; 井上 直樹*; Harries, J.; 小池 文博*; 東 善郎*

no journal, , 

In this work we recorded the total ion and fluorescence yield spectra in the region of the Neon 2s2p$$^5(^3 rm P)3 rm p^2(^1rm P_1$$) double excitation resonance, near 73.8 eV. Whereas a Fano-like profile was observed in the fluorescence yield spectrum, no structure was visible in the ion yield spectrum. Thus this state appears stable against auto-ionization. Using single-photon counting during single-bunch operation we have separated the fluorescence into three separate components, and it is hoped that these will provide clues to the excitation and decay processes.

口頭

重い電子系反強磁性体CeRh$$_2$$Si$$_2$$における磁気揺らぎ異方性,2

酒井 宏典; 徳永 陽; 神戸 振作; 松本 裕司*; 芳賀 芳範

no journal, , 

重い電子系反強磁性体CeRh$$_2$$Si$$_2$$は、常圧で約36Kで反強磁性秩序を示し、約1GPaの圧力で反強磁性が抑制され、超伝導が誘起されることが知られている。前回に引き続き、単結晶を用いて$$^{29}$$Si核NMR実験を行い、磁気揺らぎ異方性の圧力依存性を調べている。講演では、最新の実験結果を報告し議論したい。

口頭

高速C$$_{60}$$$$^{+}$$イオン透過によるSiN薄膜上のアミノ酸の前方二次イオン放出,2

中嶋 薫*; 丸毛 智矢*; 永野 賢悟*; 木村 健二*; 鳴海 一雅; 齋藤 勇一

no journal, , 

高分子/生体分子の二次イオン質量分析においては目的の分子を壊さずに効率よくイオン化して放出させることが重要になる。我々はアミノ酸試料(フェニルアラニン)の基板に自立薄膜(非晶質SiN)を使用して、MeV C$$_{60}$$イオンを基板(SiN)側から照射することで前方(下流)に放出される分子イオン収量の向上及び分子イオンの断片化(フラグメンテーション)抑制に関わる有効性を調べている。これまでに二次イオン出射面での一次イオンからのエネルギー付与密度がC$$_{60}$$イオンによるものよりも、C$$_{60}$$が解離して炭素原子間距離が広がることによりエネルギー付与密度が適度に小さくなった方が無傷の分子イオン収量が向上し、かつ断片化がより抑制されることを明らかにした。今回は、試料の上流に設置した別のSiN薄膜でC$$_{60}$$$$^{+}$$イオンを分解させて得た、60個の炭素原子(イオン)を同時に試料に照射したときの二次イオンの質量分析を行った。すなわち、炭素原子間距離が極端に大きい場合を検討した。その結果、フェニルアラニンの分子イオン収量は$$sim$$0であり、また、フェニルアラニン分子に特徴的な高分子量フラグメントイオンは収量が相対的に小さくなった。この結果は、高い分子イオン収量と断片化の抑制を両立させるためには、クラスター照射によってもたらされる適度なエネルギー付与密度が重要であることを示唆している。

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