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論文

Crystal nucleation behavior with annealing of SiC irradiated with Ne above 573K

相原純; 北條喜一; 古野茂実*; 石原正博; 山本博之

Proceedings of 8th Asia-Pacific Conference on Electron Microscopy (8APEM) (CD-ROM), p.722 - 723, 2004/06

SiCのTEM試料が20keVNeで573, 583, 598, 683Kで1.5x10 $^{20}$ Ne+/m $^{2}$ まで照射され、引き続き1273Kで30分焼鈍された。573Kと583K照射の場合には、照射による非晶質化と焼鈍による結晶核生成が起こった。結晶核生成領域とエピタキシャル成長領域ではバブルの粗大化がはっきり観察された。593K照射の場合には部分的に非晶質化が起こったが結晶核生成は起こらなかった。673K照射の場合には非晶質化は起こらず、焼鈍によっての変化は観察されなかった。