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奥村 由季子
no journal, ,
IAEAは核物質を少量しか保有しない国に対し、包括的保障措置協定(CSA)の義務履行により生じる負担を保留する効果を持つ少量議定書(SQP)を起草した。しかし、査察の権限拡大などを理由に2005年にSQPは改訂された。今日では、修正SQPを締結していないにもかかわらず、CSAの義務に基づいた申告を怠っている国が48か国も存在する。本発表は、SQPの修正により生じた問題点を明確にした後、そのような状況を打開するためにとられるべき措置及びISCNがIAEAの保障措置実施体制を強化するためにどのような貢献ができるか検討するものである。
-ray irradiation response of silicon carbide semiconductor devices; Extremely high radiation resistance佐藤 真一郎; 小野田 忍; 牧野 高紘; 藤田 奈津子; 大島 武; 横関 貴史*; 田中 量也*; 土方 泰斗*; 田中 雄季*; 神取 幹郎*; et al.
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さまざまな炭化ケイ素半導体(SiC)トランジスタの線照射によるしきい値電圧の変化を調べ、従来のシリコン半導体(Si)トランジスタと比較した。10
GyまではSiCトランジスタでは変化がないのに対し、Siトランジスタでは顕著な劣化が観察されたことから、SiCトランジスタの方がはるかに高い耐放射線性を持つことが明らかとなった。また、SiC-MOSFET(金属・酸化膜・半導体トランジスタ)の酸化膜作製方法を変えてみたところ、パイロジェニック酸化の方がドライ酸化よりも耐性が高いことが判明した。加えて、酸化膜をもたないトランジスタは更に高い耐性を示すことが分かった。以上のことから、更なる耐放射線性の向上には、酸化膜の最適化が必要であると結論できる。
三輪 周平; 逢坂 正彦
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原子力機構では、シビアアクシデント時に燃料から放出される核分裂生成物の化学を解明してソースターム評価手法の高度化につなげるための研究を開始した。本研究では、BWR制御棒材B
Cが含まれる体系でのソースタームにおけるセシウム及びヨウ素化学解明に資するため、燃料からの放出時、圧力容器内、原子炉冷却系内、格納容器内の移行時等、原子炉内各場所における核分裂生成物の化学形及び放出速度を評価する。これまでに、FP化学形評価のための技術・評価手法開発を進めてきた。また、非放射性物質を用いてFP放出・移行挙動評価のための系統的な基礎実験を実施している。放出速度評価においては、経験則による核分裂生成物放出率計算モデルCORSOR-Mを雰囲気別の放出率が計算できるように改良した。