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仁平 猛*; 岩田 忠夫
Point Defects and Defect Interactions in Metals, p.236 - 238, 1982/00
黒鉛の中の点欠陥によるフォノンの散乱を熱伝導度の測定により調べた。点欠陥の導入は80Kにおける電子照射、及び60
C、200C、900Cにおける中性子照射により行った。熱伝導度の温度依存性を緩和時間近似により解析して、次の結果を得た。(i)80Kにおける電子照射の場合には、格子間原子によるフォノン散乱が支配的である。このフォノン散乱の緩和時間はフォノンの振動数に逆比例する。即ち、T
=Bw,ここでB=1.1
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for 1 ppm of interstitial atomsである。(ii)60C及び200Cの中性子照射の場合には、格子間原子の小さな集合体によるフォノン散乱が支配的であった。また、フォノンの共鳴散乱が観測された。(iii)900Cの中性子照射の場合には、結晶粒界によるフォノン散乱(カシミール散乱)が増大した。これは、格子間原子集合体の規則的な配列により結晶粒が細分化されたことを示している。
前田 裕司
Point Defects and Defect Interactions in Metals, p.149 - 152, 1982/00
JRR-3に設置した極低温照射装置(LHTL)で5Kで中性子照射したHCP金属であるZn,Cd,MgをX線による格子定数のc軸およびa軸の方向について測定した。Zn,Cdのc軸方向の格子定数は増加した。Mgではc軸方向の格子定数は減少した。一方a軸方向の格子定数はMgでは増加した。Mgでは照射によって変化した格子定数は200K以下で回復した。またZn,Cdの格子定数の回復の様子および電気抵抗の測定結果より、格子間原子は、Zn,Cdではbasal planeに集合し、転位ループに成長し、Mgではbasal planeに垂直な面に集合してクラスター、更に転位ループに成長することを示唆する。
高村 三郎; 小檜山 守*
Point Defects and Defect Interactions in Metals, p.396 - 399, 1982/00
各種溶質原子を添加したCu,Ag,Ni稀薄合金を作製し、これを極低温で中性子照射した後、照射欠陥の回復過程を電気抵抗の測定によって調べた。合金の種類はCuにSi,Ge,Sn,Ag,Zn。AgにSi,Ge,Sn,Cu,Znなど、NiにSi,Ge,Snなどを添加したもので、4.2Kから約400Kまでの各温度に等時焼鈍して、鈍金属のそれと比較して、格子間原子が溶質原子から再放出される温度を求めた。これらから点欠陥と溶質原子の結合エネルギーを求め、溶質原子の原子サイズとの関係について議論を進めた。
西田 雄彦; 出井 数彦
Point Defects and Defect Interactions in Metals, p.705 - 707, 1982/00
アルミニウム金属結晶中における、小さな点欠陥クラスタ(格子間原子ループや空孔ループ、ボイドなど)の多波格子像が、マルチ・スライス理論により、種々の結像条件のもとで計算された。その解析結果から、これらの欠陥の微細構造同定に関する情報は、高い加速電圧(500KV)でのschezer焦点外れ条件の像で、多く得られることが明らかになった。
前田 裕司
Point Defects and Defect Interactions in Metals, p.873 - 875, 1982/00
JRR-3に設置した極低温照射装置(LHTL)で5Kで中性子照射したMo単結晶のX線Huang散乱と格子定数の測定を行い、照射によって生じた照射欠陥の回復過程を調べた。(200)面の反射のHuang散乱の測定により、100Kと200Kの温度領域で、格子間原子クラスターが転位ループに成長していることがわかった。格子定数およびHuang散乱の測定により、照射欠陥の回復過程についての議論を進めた。