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牧島 章泰*; 石井 三彦; 大島 真澄; 足立 実*; 武谷 汎*
Nuclear Physics A, 425, p.1 - 11, 1984/00
Tiを155MeV-Clで照射することによって生成したBrの崩壊からSeのE0遷移を研究した。機械的ライフタイム・フィルターを用いることによって853KeVの0状態から基底状態への内部変換電子線を観測することに成功した。このE0遷移の遷移確率のE2遷移(02)のそれに対する比はX(E0/E2)=0.130.02であった。この値と既に公表されている0状態の寿命の値とから E0遷移の強度としてI(E0)1=0.160.02を得た。この結果をもとに最近の理論的検討を試みる。