Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
関口 哲弘; 池浦 広美*; 田中 健一郎*; 小尾 欣一*
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 80, p.65 - 68, 1996/00
被引用回数:4 パーセンタイル:26.09(Spectroscopy)HO/Si(100)吸着系のO 1s内殻励起光刺激脱離をパルス放射光を用いたTOF法により調べた。脱離機構を調べるために脱離HおよびOイオンの運動エネルギー分布の励起エネルギー依存性を測定した。Hイオンでは分布は近似的に3成分の和で表わされる。励起エネルギー依存性から、各成分は、それぞれ低エネルギー側から(1)Si-L殻イオン化、(2)O-K殻イオン化、(3)O 1s共鳴とO 1s、3a、シェイク・オフ過程の重なり、に相当すると考えられた。O 1s共鳴では、最高運動エネルギー成分のH脱離には(O-H)軌道の反結合性が寄与していると考えられる。Oイオンの分布は3成分解析された。第2成分はO 1s、3a、シェイクオフ過程に相当し、最高運動エネルギー成分はO 1s、2a、シェイクオフ過程に相当する。2a軌道はSi-O-H全体の強い結合性軌道である。そのため、そこにホールを空けるとSi-O結合間に大きな反発力を生じ、高い運動エネルギーのOが脱離する。