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Kinetic energy released distributions of ions desorbed from H$$_{2}$$O/Si(100) adsorption system by O 1s excitation

O 1s内殻励起によりH$$_{2}$$O/Si(100)吸着系から脱離したイオンの運動エネルギー分布

関口 哲弘  ; 池浦 広美*; 田中 健一郎*; 小尾 欣一*

Sekiguchi, Tetsuhiro; not registered; Tanaka, Kenichiro*; not registered

H$$_{2}$$O/Si(100)吸着系のO 1s内殻励起光刺激脱離をパルス放射光を用いたTOF法により調べた。脱離機構を調べるために脱離H$$^{+}$$およびO$$^{+}$$イオンの運動エネルギー分布の励起エネルギー依存性を測定した。H$$^{+}$$イオンでは分布は近似的に3成分の和で表わされる。励起エネルギー依存性から、各成分は、それぞれ低エネルギー側から(1)Si-L殻イオン化、(2)O-K殻イオン化、(3)O 1s$$rightarrow$$$$sigma$$$$^{ast}$$共鳴とO 1s、3a$$_{1}$$$$rightarrow$$$$infty$$、$$infty$$シェイク・オフ過程の重なり、に相当すると考えられた。O 1s$$rightarrow$$$$sigma$$$$^{ast}$$共鳴では、最高運動エネルギー成分のH$$^{+}$$脱離には$$sigma$$$$^{ast}$$(O-H)軌道の反結合性が寄与していると考えられる。O$$^{+}$$イオンの分布は3成分解析された。第2成分はO 1s、3a$$_{1}$$$$rightarrow$$$$infty$$、$$infty$$シェイクオフ過程に相当し、最高運動エネルギー成分はO 1s、2a$$_{1}$$$$rightarrow$$$$infty$$、$$infty$$シェイクオフ過程に相当する。2a$$_{1}$$軌道はSi-O-H全体の強い結合性軌道である。そのため、そこにホールを空けるとSi-O結合間に大きな反発力を生じ、高い運動エネルギーのO$$^{+}$$が脱離する。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena

巻

 :

80

号

 :

ページ数

 :

p.65 - 68

発行年月

 :

1996/00

発表会議名

 :

11th International Conference on Vacuum Ultraviolet Radiation Physics

開催年月

 :

1995/08

開催都市

 :

Tokyo

開催国

 :

Japan

キーワード

 :

放射光; 光刺激脱離; 運動エネルギー; 水(H$$_{2}$$O); シリコン(Si); 内殻励起; 反結合性軌道; シェイクオフ過程; オージェ過程; 表面

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1016/0368-2048(96)02923-4

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

パーセンタイル：26.09

分野：Spectroscopy

Altmetrics

 :

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