Mechanism for single-event burnout of bipolar transistors

久保山 智司*; 鈴木 隆博*; 平尾 敏雄; 松田 純夫*

IEEE Transactions on Nuclear Science, 47(6), p.2634 - 2639, 2000/12

https://doi.org/10.1109/23.903819

高エネルギー粒子が半導体中の能動領域を通過する時、その飛跡に沿って発生した高密度の電子-正孔対によるシングルイベント現象が生じることは良く知られている。その現象の一つであるシングルイベントバーンアウト(SEB)、従来Power MOSFETにおいて発生するといわれてきた。われわれは、実験として、すでに確立したSEBの測定方法であるEPICS測定システムを民生用の小信号バイポーラトランジスタ(BJT)に適用し、250MeV Niイオンを用いてSEB評価を実施した。その結果、BJTでもSEBが発生することを見いだし、イオン入射時のBJTにおけるベースとエミッタの電流波形の直接観測に成功した。本報告では、これらの結果を詳説するとともに、MOSFETとBJTにおけるSEB発生機構の相違について議論する。