XPS study of Si bombarded with low-energy reactive ions

山本 博之; 馬場 祐治; 佐々木 貞吉

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 73, p.587 - 589, 1993/00

https://doi.org/10.1016/0168-583X(93)95843-T

第二周期元素であるB,C,N,O,F,Neの各イオンをSi(100)表面に対してそれぞれ5keVで照射した。この試料をXPSを用いて表面組成、化学状態の変化を解析した。照射後の表面変化は、照射イオンの種類によって以下のように分類することができる。1)照射にともなう注入イオンの拡散によって表面偏析が生ずるため、注入イオン濃度の高い表面層が形成される(B,C)、2)Si化合物が安定で、その昇華エネルギーが大きいため、注入イオンはSi原子と化学結合し、ほぼ化学量論的表面組成となる(N,O)、3)化合物及び照射イオン元素の昇華エネルギーがともに小さく、ターゲット表面に大きな化学変化が生じない(F,Ne)。以上の結果から、イオン照射後の表面化学状態はSi原子と照射イオン種との反応性によって大きく異なることが明らかとなった。