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口頭

O$$_{2}$$ pressure dependence of SiO$$_{2}$$/Si interfacial oxidation rate studied by real-time photoelectron spectroscopy

小川 修一*; 吉越 章隆; 石塚 眞治*; 高桑 雄二*

no journal, , 

本研究では、リアルタイム光電子分光を用いてSiO$$_{2}$$/Si界面酸化速度のO$$_{2}$$圧力依存性を調べた。実験はSPring-8 BL23SUの表面反応分析装置にて行った。O1s強度から3200秒で表面が飽和酸化することを見積もった。飽和後、O$$_{2}$$圧力を増加させると、界面酸化は促進された。酸化速度はO1s強度変化から求めた。界面酸化のO$$_{2}$$圧力依存性から圧力上昇が界面速度の上昇を引き起こすこと、そしてその速度が圧力の平方根に比例することを示した。

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