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O$$_{2}$$ pressure dependence of SiO$$_{2}$$/Si interfacial oxidation rate studied by real-time photoelectron spectroscopy

リアルタイム光電子分光によるSiO$$_{2}$$/Si界面酸化速度のO$$_{2}$$圧力依存性の研究

小川 修一*; 吉越 章隆 ; 石塚 眞治*; 高桑 雄二*

Ogawa, Shuichi*; Yoshigoe, Akitaka; Ishizuka, Shinji*; Takakuwa, Yuji*

本研究では、リアルタイム光電子分光を用いてSiO$$_{2}$$/Si界面酸化速度のO$$_{2}$$圧力依存性を調べた。実験はSPring-8 BL23SUの表面反応分析装置にて行った。O1s強度から3200秒で表面が飽和酸化することを見積もった。飽和後、O$$_{2}$$圧力を増加させると、界面酸化は促進された。酸化速度はO1s強度変化から求めた。界面酸化のO$$_{2}$$圧力依存性から圧力上昇が界面速度の上昇を引き起こすこと、そしてその速度が圧力の平方根に比例することを示した。

In this study, the increased O$$_2$$ pressure dependence of the interface oxidation rate was investigated using real-tile photoelectron spectroscopy. The experiment was performed using the surface reaction analysis apparatus placed at the BL23SU of SPring-8. From $$I_{O1s}$$, we can estimate the completion of surface oxidation as 3200 s. Then, O$$_2$$ pressure is increased, and then the interface oxidation is enhanced. The P$$_O2$$ dependence of the interfacial oxidation rate shows that O$$_2$$ pressure increase makes the interfacial oxidation rate fast, and the interface oxidation rate is proportional to the square root of $$P_O2$$.

使用言語

 :

English

掲載資料名

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巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

AVS 64th International Symposium & Exhibition

開催年月

 :

2017/10

開催都市

 :

Tampa

開催国

 :

U.S.A.

キーワード

 :

放射光光電子分光; リアルタイム観察; 界面酸化; 促進反応

特許データ

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PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

SPring-8(大型放射光施設)

広報プレスリリース

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