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Kim, S.-Y.; 朝倉 俊英; 森田 泰治; 池田 泰久*
Journal of Alloys and Compounds, 408-412, p.1291 - 1295, 2006/02
被引用回数:10 パーセンタイル:54.49(Chemistry, Physical)-ジメチルホルムアミド溶媒中のUO
(
-diketonato)
DMF, UO
(trop)
DMF及びUO
(sap)(DMF)
, (DMF=
-dimethyl formamide,
-diketonate=thenoyltrifluoroacetonate(ttfa), benzoyl trifluoroacetonate(btfa), and dibenzoylmethanate(dbm), trop=tropolonate, and sap=2-salicylidenaminophenolate)錯体について、サイクリックボルタンメトリー法を用いて電気化学的研究を行った。その結果、形式電位(E
,
.フェロセン/フェロセニウム)はUO
(ttfa)
DMF錯体(-1.176V),UO
(btfa)
DMF錯体(-1.183V),UO
(dbm)
DMF錯体(-1.461V),UO
(trop)
DMF錯体(-1.456V)及びUO
(sap)(DMF)
錯体(-1.585V)であった。これらの錯体は準可逆的にU(V)に還元され、多座配位子を有する錯体ほど、形式電位はより負側にシフトすることがわかった。以上の結果から、単座配位子を持つウラニル錯体よりも多座配位子を持つウラニル錯体の方が、安定なU(V)錯体を生成することが確認された。
Kim, S.-Y.; 朝倉 俊英; 森田 泰治
Radiochimica Acta, 93(12), p.767 - 770, 2005/12
被引用回数:10 パーセンタイル:56.58(Chemistry, Inorganic & Nuclear)ネプツニウムの電気化学反応について、サイクリックボルタンメトリー法,光透過性薄層電極法を用いた測定等により、1-8Mいずれの硝酸濃度において研究した。Np(VI)-Np(V)間の酸化還元反応において、酸化還元電位は硝酸濃度の増加とともに減少し、NpOはNpO
に電子還元され、Np(VI)/Np(V)が準可逆であることを示した。1-8M硝酸濃度におけるNp(VI)の酸化還元電位は、+0.906, +0.908, +0.909, +0.902, +0.896, +0.895, +0.888, +0.884V(vs. Ag/AgCl)であった。Np(VI)の酸化還元領域を把握し、分光電気化学測定した。電位が+1.10
+0.60Vの範囲では1224nm付近(NpO
)の吸収の減少、及び980, 1094nm付近(NpO
)に吸収の出現が確認された。電位を変化させた際の、吸収スペクトルの測定により、NpO
の還元後に存在する化学種は1種類であることを明らかにした。
Kim, S.-Y.; 朝倉 俊英; 森田 泰治
JAERI-Conf 2005-007, p.341 - 344, 2005/08
Pu(IV)のサイクリックボルタンメトリー測定に基づく1-7Mいずれの硝酸濃度のプルトニウムの電気化学反応を検討した。その結果、Pu(IV)-Pu(III)間の酸化還元反応において、酸化還元電位は硝酸濃度の増加とともに減少し、PuはPu
に電子還元され、Pu
/Pu
が準可逆であることを示す。1-7M硝酸濃度におけるPu(IV)の酸化還元電位は、+0.721, +0.712, +0.706, +0.705, +0.704, +0.694, +0.696V(vs. Ag/AgCl)であった。
Kim, S.-Y.; 朝倉 俊英; 森田 泰治; 内山 軍蔵*; 池田 泰久*
Radiochimica Acta, 93(2), p.75 - 81, 2005/02
被引用回数:9 パーセンタイル:52.95(Chemistry, Inorganic & Nuclear)ジメチルスルホキシド溶媒中のUO(
-diketonato)
dmso, UO
(trop)
dmso, UO
(sap)(dmso)
、及びUO
(salen)dmso(dmso=dimethyl sulfoxide,
-diketonate=benzoyl-acetonate(ba), benzoyltrifluoroacetonate(btfa), and thenoyltrifluoroacetonate(ttfa), trop=tropolonate, sap=2-salicylidenaminophenolate, salen=N,N'-disalicylidenethylenediaminate)錯体について、サイクリックボルタンメトリー法を用いて電気化学的研究した。その結果、形式電位(E
, vs.フェロセン/フェロセニウム)はUO
(ba)
dmso錯体(-1.416V),UO
(btfa)
dmso錯体(-1.073V),UO
(ttfa)
dmso錯体(-1.082V), UO
(trop)
dmso錯体(-1.379V),UO
(sap)(dmso)
錯体(-1.500V)及びUO
(salen)dmso錯体(-1.602V)であった。これらの錯体は準可逆的にU(V)に還元され、多座配位子を有する錯体ほど、還元電位はより負側にシフトすることがわかった。以上の結果から、単座配位子を持つウラニル錯体よりも多座配位子を持つウラニル錯体の方が、安定なU(V)錯体を生成することが確認された。
Kim, S.-Y.; 朝倉 俊英; 森田 泰治; 内山 軍蔵*; 池田 泰久*
Journal of Radioanalytical and Nuclear Chemistry, 262(2), p.311 - 315, 2004/11
被引用回数:11 パーセンタイル:58.38(Chemistry, Analytical)ネプツニウムの電気化学反応について、サイクリックボルタンメトリー法,光透過性薄層電極法を用いた測定等により、3M硝酸において研究した。Np(VI)-Np(V)間の酸化還元反応において、酸化還元電位は硝酸濃度の増加とともに減少し、NpOはNpO
に電子還元され、NpO
/NpO
が準可逆であることを示した。Np(VI)の酸化還元領域を把握し、分光電気化学測定した。電位が+1.05
+0.65Vの範囲では1224nm付近(NpO
)の吸収の減少、及び980, 1094nm付近(NpO
)に吸収の出現が確認された。電位を変化させた際の、吸収スペクトルの測定により、NpO
の還元後に存在する化学種は1種類であることを明らかにした。
諏訪 武; 栗林 伸英; 吉田 善行; 立川 圓造
電気化学, 54, p.974 - 976, 1986/00
サイクリックボルタンメトリーを適用して、硫酸および硝酸溶液中におけるFe,Cr(VI),Ni
共存下におけるCe
濃度の測定法を確立した。標準測定条件は、電位掃引範囲1.55~-0.5V(VS Ag/Agcl)、掃引速度50mV/S、回転速度1000rpmである。測定に必要な試料液量はCe
濃度1
10
M前後で1
10
dm
である。本測定法を確立したことにより、H
SO
-Ce
系溶液における除染、腐食、金属酸化物の溶解試験時のCe
消費量を測定できるようになった。