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Yagmur, A.*; 内田 健一*; 井原 和紀*; 井岡 郁夫; 吉川 貴史*; 小野 円佳*; 遠藤 純一*; 柏木 王明*; 中島 哲也*; 桐原 明宏*; et al.
Applied Physics Letters, 109(24), p.243902_1 - 243902_4, 2016/12
被引用回数:3 パーセンタイル:13.90(Physics, Applied)スピンゼーベック効果(SSE)に基づく熱電素子の線抵抗性を調べるため、約3
10
Gyの
線照射試験を実施した。SSE素子には、Pt/Ni
Zn
Fe
O
/GlassとPt/Bi
Y
Fe
O
/Gd
Ga
O
を用いた。SSE素子の熱電特性,磁気特性、構造は、
線照射により影響されないことを確認した。この結果は、SSE素子が厳しい照射環境でさえ熱電素子として適用可能なことを示した。
加藤 輝雄
低温工学, 30(11), p.510 - 518, 1995/00
核融合炉用超電導磁石の絶縁材料は熱絶縁と電気絶縁に分けられ、加工性の良い有機材料が有望視される。磁石はプラズマで発生する高速中性子と線の照射を受けるが、絶縁材料の照射劣化は核融合炉システムの致命的な損傷になるため、耐照射性の良好な材料を選択しなければならない。本実験は5Kで原子炉照射後、温度を上げることなく電気的及び機械的試験を行った。照射効果は電気的特性よりも機械的特性に大きく影響することが分かった。実験に用いた材料は28種類であり、プラスチックフィルム、樹脂のみ、繊維強化樹脂(FRP)で分類し、5Kでの原子炉照射効果について総括した。本実験で機械強度が明らかに増加した材料がいくつか見られたが、この現象は極低温照射では考えにくいことである。この発現理由に関して、編集委員会のすすめから、「サロン」欄に仮説を挙げて問題提起として同時投稿した。
加藤 崇*; 富澤 一成*; 高橋 幸美*; 栗山 一男*; 竹下 英文; 山本 春也; 楢本 洋
Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University, Supplement, (12), p.125 - 128, 1994/03
1.0MeVCイオンを注入したGaAsの電気的性質を調べたものである。注入直後から400
Cまでの熱処理では、電子のホッピング伝導が観測され、600
C以上の熱処理になってはじめて電子捕獲中心が活性化されることを見い出した。この活性化率は、600
Cの処理で1%、800
Cの処理で10%に達した。本論文は、これらの成果を総合的に論じたものである。
貴家 恒男; 河西 俊一; 武久 正昭
J.Phys.Chem., 88(15), p.3326 - 3329, 1984/00
700MPaまでの高圧下でビニルモノマーの誘電特性を測定した。基をもつビニルモノマーの誘電率'は200~300MPa附近で急激に増大した。この圧力は圧力~体積(P-V)関係に不連続を与える圧力に対応し、これまで報告した高圧下では平面構造を有するビニルモノマーは短距離に配列するという考えを支持する結果を得た。圧力~
'に不連続性を与える圧力はモノマーの化学構造により変化し、基とビニル基との位置関係と密接に関連する。
高村 三郎; 前田 裕司
応用物理, 51(3), p.260 - 271, 1982/00
極低温で高速中性子照射した金属の照射欠陥に関してわれわれの測定装置を紹介し、それらを用いて得られた研究成果を中心に述べた。まず高速中性子照射によって生成された欠陥の生成量、回復過程に関して、電気抵抗、X線回折、長さ測定を行ない、高速中性子照射と電子線照射との相違点を述べた。体心立方金属の機械的試験についても言及した。また核融合炉用超電導磁石材料の極低温照射後の試験結果を述べ、問題点を指摘した。
大道 敏彦; 菊池 武雄
Journal of Nuclear Science and Technology, 6(2), p.101 - 102, 1969/00
抄録なし