JAEA
  • help
  • PC | SP
  • JP | EN
          
検索対象：     
報告書番号：
※ 半角英数字
 年 ～ 
 年
全てクリア
検索結果：　3 件中 1件目～3件目を表示
  • 1

発表形式

Initialising ...

選択項目を絞り込む

掲載資料名

Initialising ...

発表会議名

Initialising ...

筆頭著者名

Initialising ...

キーワード

Initialising ...

使用言語

Initialising ...

発行年

Initialising ...

開催年

Initialising ...

選択した検索結果をダウンロード

論文

Strong anti-stokes luminescence from H$$^{+}$$-irradiated diamond

Xu, Y.; 楢本 洋; 鳴海 一雅; 宮下 喜好*; 神谷 富裕; 酒井 卓郎

Applied Physics Letters, 83(10), p.1968 - 1970, 2003/09

https://doi.org/10.1063/1.1608465
 被引用回数：4 パーセンタイル：20.23(Physics, Applied)

超高純度人工ダイヤモンド結晶の断面に、マイクロビーム(H$$^{+}$$)を走査して、照射量が大きく異なる直方体状の照射スポットを多数形成した。さらに、圧電駆動型の試料ステージを有する共焦点型顕微ラマン分光器上で、断面からの距離の(深さ)関数として、発光強度を測定して、格子間原子型3H色中心のクラスター量が2-3個のC原子であることと、これを高密度に形成する条件を見いだした。その結果、この3H色中心が、多光子励起ではなく、格子振動と強く相互作用した励起に基づく、アンチストークス発光をもたらすことを、実験的に検証することに成功した。

論文

Photoelectron spectroscopic and surface resistance measurements of TiO$$_{2}$$ and V$$_{2}$$O$$_{5}$$ after rare-gas sputtering

佐々木 貞吉; 馬場 祐治; 山本 博之; 笹瀬 雅人*; 磯部 昭二*

Surface and Interface Analysis, 20, p.682 - 686, 1993/00

https://doi.org/10.1002/sia.740200812
 被引用回数：4 パーセンタイル：21.48(Chemistry, Physical)

TiO$$_{2}$$及びV$$_{2}$$O$$_{5}$$を1.5~15keV He$$^{+}$$,Ar$$^{+}$$,Xe$$^{+}$$で照射し、絶縁体から半導体の変化することを見い出した。表面電気伝導度は1$$times$$10$$^{17}$$Ar$$^{+}$$/cm$$^{2}$$の線量で数10$$Omega$$$$^{-1}$$cm$$^{-1}$$であった。XPSによる検討の結果、表面酸素量は減少しTi(II),Ti(III),V(IV)などの還元化学種が生成していることがわかった。また、UPSスペクトルのE$$_{F}$$レベル近傍に新たにピークが出現し、この非結合性3d電子がチャージキャリアーになると考えた。伝導度測定及びXPS測定のデータより、イオン1個当りの酸素欠損量が求められ、8keVHe$$^{+}$$で60個、8keVAr$$^{+}$$で110個、8keVXe$$^{+}$$で300個と決定された。

口頭

イオン照射ポリイミド膜におけるトラックエッチング速度のLET依存性

越川 博; 浅野 雅春*; 八巻 徹也; 前川 康成

no journal, , 

重イオンビームを照射した高分子膜を化学エッチングすると、ナノ$$sim$$マイクロスケールでアスペクト比の高い穿孔を形成できる。本研究では、このいわゆるイオン穿孔のサイズと形状を制御することを目標として、種々のイオンビームを照射したポリイミド(PI)膜のトラックエッチング速度(V$$_{T}$$)を電気伝導率測定により求め、そのLET依存性を調べた。450MeV $$^{129}$$Xe, 250MeV $$^{40}$$Ar, 75MeV $$^{20}$$Neのイオンをフルエンス3$$times$$10$$^{6}$$$$sim$$3$$times$$10$$^{8}$$ ion/cm$$^{2}$$で照射したPI膜に対し、pH=9.0に調整した次亜塩素酸ナトリウム溶液を用いてエッチングした。これと同時に、膜を介したエッチング液の電気伝導率を測定することで、穿孔が貫通するまでの時間(T$$_{B}$$)を取得し、V$$_{T}$$=(膜厚)/(2T$$_{B}$$)によりV$$_{T}$$を計算した。LETが1.4MeV/$$mu$$mのNeイオンでV$$_{T}$$が0.24$$mu$$m/hで最低であった。これに対して、LETが12MeV/$$mu$$mと最大のXeイオンはNeイオンの約20倍高いV$$_{T}$$を示し、大きなLET依存性が確認できた。

3 件中 1件目～3件目を表示
  • 1