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Photoelectron spectroscopic and surface resistance measurements of TiO$$_{2}$$ and V$$_{2}$$O$$_{5}$$ after rare-gas sputtering

希ガスイオン照射したTiO$$_{2}$$及びV$$_{2}$$O$$_{5}$$の光電子分光

佐々木 貞吉; 馬場 祐治  ; 山本 博之; 笹瀬 雅人*; 磯部 昭二*

Sasaki, Teikichi; Baba, Yuji; Yamamoto, Hiroyuki; Sasase, Masato*; not registered

TiO$$_{2}$$及びV$$_{2}$$O$$_{5}$$を1.5~15keV He$$^{+}$$,Ar$$^{+}$$,Xe$$^{+}$$で照射し、絶縁体から半導体の変化することを見い出した。表面電気伝導度は1$$times$$10$$^{17}$$Ar$$^{+}$$/cm$$^{2}$$の線量で数10$$Omega$$$$^{-1}$$cm$$^{-1}$$であった。XPSによる検討の結果、表面酸素量は減少しTi(II),Ti(III),V(IV)などの還元化学種が生成していることがわかった。また、UPSスペクトルのE$$_{F}$$レベル近傍に新たにピークが出現し、この非結合性3d電子がチャージキャリアーになると考えた。伝導度測定及びXPS測定のデータより、イオン1個当りの酸素欠損量が求められ、8keVHe$$^{+}$$で60個、8keVAr$$^{+}$$で110個、8keVXe$$^{+}$$で300個と決定された。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Surface and Interface Analysis

巻

 :

20

号

 :

ページ数

 :

p.682 - 686

発行年月

 :

1993/00

発表会議名

 :

Int. Conf. on Quantitative Surface Analysis

開催年月

 :

1992/09

開催都市

 :

England

開催国

 :

キーワード

 :

X-ray Photoelectron Spectroscopy; Ultra-violet Photoelectron Spectroscopy; Ion-beam Irradiation; Surface Electric Resistance; TiO$$_{2}$$; V$$_{2}$$O$$_{5}$$

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1002/sia.740200812

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

パーセンタイル：21.43

分野：Chemistry, Physical

Altmetrics

 :

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