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論文

Magnetic layer thickness influence on magnetoelastic properties anisotropy in Co$$_{2}$$Fe$$_{0.4}$$Mn$$_{0.6}$$Si heusler alloy thin films

Nabialek, A.*; Chumak, O.*; 関 剛斎*; 高梨 弘毅; Baczewski, L. T.*; Szymczak, H.*

IEEE Transactions on Magnetics, 59(11), p.2501405_1 - 2501405_5, 2023/11

The anisotropic magnetoelastic (ME) properties of epitaxial Co$$_{2}$$Fe$$_{0.4}$$Mn$$_{0.6}$$Si(CFMS) Heusler alloy thin films with thicknesses ranging from 8 to 100 nm were investigated using the strain-modulated ferromagnetic resonance (SMFMR) technique. The calculation of the first cubic magnetocrystalline (MC) constant ${it K}$ $$_{1}$$ and the two cubic ME constants ${it b}$ $$_{1}$$ and ${it b}$ $$_{2}$$ was carried out assuming the cubic symmetry of the magnetic layer. A significant negative perpendicular MC anisotropy, of the order of 10$$^{5}$$ J/m$$^{3}$$, was also observed. The investigated parameters were found to be dependent on the thickness of the magnetic layer. The thinnest magnetic layers showed the strongest cubic MC anisotropy and the weakest anisotropy of ME properties. These findings highlight the importance of considering the magnetic layer thickness when evaluating the anisotropy in the ME properties of Heusler alloy thin films.

論文

Recent activities and progress on PORE reflectometer

武田 全康; 鳥飼 直也*; 猪野 隆*; 田崎 誠司*

KENS Report-XIV, p.205 - 206, 2003/00

高エネルギー加速器研究機構・物質材料研究所に設置されているPORE偏極中性子反射率計の現状と最近のアップグレードについて報告する。偏極中性子の特徴を活かした磁性薄膜・人工格子の磁気構造の研究を進めるとともに、J-PARC計画で重要となる偏極中性子デバイスの開発も始めた。大きなものとしては、Spin-Exchange法を使った$$^{3}$$He偏極フィルターと、パルス中性子を使ったスピンエコー法の開発である。前者はすでに基礎的な開発が終わり、実際のテストを進める準備を行っているところである。後者は、0.3-0.9nmの波長域でエコーシグナルの観測に成功している。また、偏極中性子集光デバイスを導入することにより、0.8nm以上の波長域で、最大5倍の入射強度の増強に成功した。

論文

Micromagnetic domain observations of Co-Cr films by neutron scattering

武井 弘次*; 鈴木 淳市; 前田 安*; 森井 幸生

IEEE Transactions on Magnetics, 30(6), p.4029 - 4031, 1994/11

 被引用回数:10 パーセンタイル:66.35(Engineering, Electrical & Electronic)

高密度磁気記録材料Co-22at.%Crにおいて組成分離に伴う微細磁気構造が存在することを中性子散乱により明らかにした。組成分離は150$$^{circ}$$Cから400$$^{circ}$$Cの作成基板温度で顕著となる。200$$^{circ}$$Cの基板温度では10nm程度の最も微細な磁気ドメイン構造が観測され、より高密度な磁気記録材料としての応用の可能性を示す。

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