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大西 弘明; 宮下 精二*
Physica B; Condensed Matter, 329-333(2), p.874 - 875, 2003/05
被引用回数：0 パーセンタイル：0(Physics, Condensed Matter)スピン・格子結合系一次元鎖における格子振動の量子効果について、量子モンテカルロ法を用いて解析を行った。磁性イオンの質量が大きくて格子変位を古典的に取り扱える場合には、絶対零度で格子が自発的に歪んでスピンパイエルス状態を取る。一方、質量が小さくて格子変位の量子効果が顕著な場合には、空間-虚時間方向の格子揺らぎが生じ、平均すると一様な格子状態を取ることを示した。また磁気的性質は、静的で一様な格子の場合のものと一致することを示した。この非断熱極限におけるスピンと格子の自由度の分離は、両自由度の虚時間相関の時間スケールが著しく異なることによる
quantum narrowing effect
に起因することを見い出した。
O
Mo, S.-K.*; Denlinger, J. D.*; Kim, H.-D.*; Park, J.-H.*; Allen, J. W.*; 関山 明*; 山崎 篤志*; 角野 宏治*; 菅 滋正*; 斎藤 祐児; et al.
Physical Review Letters, 90(18), p.186403_1 - 186403_4, 2003/05
被引用回数：143 パーセンタイル：95.47(Physics, Multidisciplinary)複雑な相図を示すVOについて、その金属相での光電子スペクトルにおいて顕著な準粒子ピークをはじめて観測した。また、この明瞭なピークが温度効果とともに成長することを示すために、局所密度近似と量子モンテカルロシミュレーションを用いた動的平均場理論を組み合わせた新しいスペクトル計算結果を報告する。実験で得られたピーク幅,ウェイトはともに理論より相当大きい。
大西 弘明; 宮下 精二*
Journal of the Physical Society of Japan, 72(2), p.392 - 398, 2003/02
被引用回数：5 パーセンタイル：38.8(Physics, Multidisciplinary)スピンパイエルス系を扱う模型として
のスピン・格子結合系一次元鎖を考え、スピンと格子の複合的量子効果の下での秩序形態について、量子モンテカルロ法を用いて調べた。磁性イオンの質量が大きい極限では、格子変位は断熱的に取り扱え、絶対零度で格子が歪んだスピンパイエルス状態を取る。一方質量が小さい場合には、断熱的な格子歪みを伴うスピンパイエルス状態は格子変位の量子効果によって乱され、絶対零度でも格子は歪まずに一様な格子状態を取る。この場合、帯磁率や磁気励起スペクトルなどの磁気的性質は、格子自由度のない静的な一様鎖のものと一致することがわかった。これは、格子揺らぎがスピン揺らぎに比べて非常に速いため、格子揺らぎの効果は平均化されて磁気的性質に影響を及ぼさないためであることを示した。
As and BaZnSbGu, B.; 前川 禎通
no journal, ,
After the discovery of ferromagnetism in (Ga,Mn)As, diluted magnetic semiconductors (DMS) have received considerable attention owing to potential applications based on the use of both their charge and spin degrees of freedom in electronic devices. The highest Curie temperature of (Ga,Mn)As has been Tc = 190 K. Owing to simultaneous doping of charge and spin induced by Mn substitution, it is difficult to individually optimize charge and spin densities. To overcome these difficulties, here we propose a method to realize DMS with p- and n-type carriers by choosing host semiconductors with a narrow band gap. By employing a combination of the density function theory and quantum Monte Carlo simulation, we demonstrate such semiconductors using Mn-doped BaZnAs, which has a band gap of 0.2 eV. In addition, we found a new non-toxic DMS Mn-doped BaZnSb, of which the Curie temperature Tc is predicted to be higher than that of Mn-doped BaZnAs, the Tc of which was up to 230 K in the recent experiment.
