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吉川 正人; 大島 武; 伊藤 久義; 高橋 邦方*; 北畠 真*
Materials Science Forum, 353-356, p.635 - 638, 2001/00
nタイプ4H-SiC基板の(11-20)及び(1-100)面上に成長させたエピ膜を1100Cで1時間酸化して、約50nmの酸化膜を作製後、800C、850もしくは950Cで3時間水蒸気中でアニーリングした。その後金蒸着を行って(110)及び(100)面上にMOS構造を形成した。CV特性をこれらMOS構造に対して測定し、伝導体近傍の界面準位密度(Dit)並びに界面準位総量(Nit)を求めた。この結果、(110)面では界面準位総量が水蒸気アニーリングによって減少することがわかった。特に伝導体近傍では、界面準位密度のエネルギー分布が変化し、界面準位密度の低下が認められた。