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Steam annealing effects on CV characteristics of MOS structures on (11$$bar{2}$$0) face of 4H-SiC

4H-SiC(11$$bar{2}$$0)面上のMOS構造CV特性に及ぼす水蒸気アニーリングの効果

吉川 正人; 大島 武; 伊藤 久義; 高橋 邦方*; 北畠 真*

Yoshikawa, Masahito; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Takahashi, Kunimasa*; Kitabatake, Makoto*

nタイプ4H-SiC基板の(11-20)及び(1-100)面上に成長させたエピ膜を1100$$^{circ}$$Cで1時間酸化して、約50nmの酸化膜を作製後、800$$^{circ}$$C、850もしくは950$$^{circ}$$Cで3時間水蒸気中でアニーリングした。その後金蒸着を行って(11$$bar{2}$$0)及び(1$$bar{1}$$00)面上にMOS構造を形成した。CV特性をこれらMOS構造に対して測定し、伝導体近傍の界面準位密度(Dit)並びに界面準位総量(Nit)を求めた。この結果、(11$$bar{2}$$0)面では界面準位総量が水蒸気アニーリングによって減少することがわかった。特に伝導体近傍では、界面準位密度のエネルギー分布が変化し、界面準位密度の低下が認められた。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Materials Science Forum

巻

 :

353-356

号

 :

ページ数

 :

p.635 - 638

発行年月

 :

2001/00

発表会議名

 :

3rd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM-2000)

開催年月

 :

2000/09

開催都市

 :

Kloster Banz

開催国

 :

Germany

キーワード

 :

4H-SiC; Steam Annealing; Re-oxidation; MOS; CV; Inferface Frap; (11$$bar{2}$$0); (1$$bar{1}$$00)

特許データ

 :

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