Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
織茂 聡; 余語 覚文; 小倉 浩一; 匂坂 明人; 森 道昭; 桐山 博光; 近藤 修司; 山本 洋一*; 下村 拓也*; 田上 学*; et al.
no journal, ,
高強度超短パルスレーザーを薄膜に照射することによって生成されるMeV級の陽子生成と、その応用研究を発表する。実験は原子力機構と韓国光州科学技術研究所で行った。照射レーザーは直径50mmで、p偏光,45度,焦点距離238mm(Fナンバー4.8)で照射強度39
10
W/cm
である。ターゲットは銅テープ(5
m厚)とポリミド(7.5
m)を使用した。ニッケルのメッシュパターンを、陽子イメージはCR39を使用し、X線イメージはイメージングプレートを使用し測定した。