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論文

Element-selective observation of electronic structure transition between semiconducting and metallic states in boron-doped diamond using soft X-ray emission and absorption spectroscopy

飯原順次*; 村松康司; 武部敏彦*; 澤村明賢*; 難波暁彦*; 今井貴浩*; Denlinger, J. D.*; Perera, R. C. C.*

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1, 44(9A), p.6612 - 6617, 2005/09

https://doi.org/10.1143/JJAP.44.6612

被引用回数：12 パーセンタイル：43.27(Physics, Applied)

軟X線分光法を用いてホウ素ドープダイヤモンドの半導体-金属間電子構造の変化を観測した。ホウ素濃度が数十ppmから数万ppmに増加するにつれて、ホウ素と炭素原子のバンド構造(価電子帯と伝導帯)が半導体構造から金属構造に変化してゆく様子が明瞭にとらえられた。本分光法によるバンド構造変化の観察は、ダイヤモンド半導体のバンドギャップ制御に重要な情報をもたらす。

報告書

Study on the lower support in "MONJU" core fuel pins

not registered

PNC TJ208 72-01T, 41 Pages, 1972/08

PNC-TJ208-72-01T.pdf:6.07MB

None

報告書

高速実験炉燃料集合体最終図面

not registered

PNC TJ208 70-05VOL3, 30 Pages, 1970/10

PNC-TJ208-70-05VOL3.pdf:5.84MB

None