イオンビームを利用したイチゴの突然変異誘発

Mutation induction of strawberry ( ) using ion beam irradiation

千葉 直樹*; 荒川 梢*; 中村 茂雄*; 岩崎 泰永*; 吉原 亮平; 長谷 純宏; 鳴海 一成

Chiba, Naoki*; Arakawa, Kozue*; Nakamura, Shigeo*; Iwasaki, Yasunaga*; Yoshihara, Ryohei; Hase, Yoshihiro; Narumi, Issei

イチゴの栽培は、促成品種の導入と施設栽培技術の発達により収穫期間が前進化し、かつ長期化している。本研究ではイチゴ品種の変異拡大を目的として、イチゴに対するイオンビームの適正線量を測定するとともに、イオンビーム照射が花房の発生時期に及ぼす影響を調査した。イチゴ品種は「もういっこ」を用いた。無菌培養で増殖した腋芽を含む切片に対してヘリウムイオンあるいは炭素イオンを照射した。イオンビームに対する再生率の線量反応を調査した結果、ヘリウムでは16Gy、炭素では32Gyより高い線量で再生率が低下した。イチゴの再生率に影響がない炭素イオンの8Gyと16Gy照射処理区から、合計286株のM1世代を得た。無処理区で最も早い着蕾日は1月4日であった。この日より早く着蕾した8Gy処理12株と16Gy処理8株の合計20株を選抜株とした。今後、収穫期間における花房発生の連続性や収量・品質等について継続的に調査を行う。

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