石川 法人 
; 岩瀬 彰宏; 知見 康弘; 道上 修*; 若菜 裕紀*; 神原 正*
Ishikawa, Norito; Iwase, Akihiro; Chimi, Yasuhiro; Michikami, Osamu*; Wakana, Hironori*; Kambara, Tadashi*
酸化物超伝導体EuBa
Cu
Oy薄膜に1MeV~数GeVの広いエネルギー範囲に渡るイオンを系統的に照射し、低温における電気抵抗変化をその場測定した。低エネルギーイオン照射では弾性的はじき出しによる欠陥生成,高エネルギーイオン照射では初期イオン化による欠陥生成が支配的であることを強く示唆するデータを得た。照射後のアニール効果についても議論した。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 69 |
号 |
: | 11 |
ページ数 |
: | p.3563 - 3575 |
発行年月 |
: | 2000/11 |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：52.88 分野：Physics, Multidisciplinary |
Altmetrics |
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