molecules分子の並進運動エネルギーに依存した酸化Si(001)表面からのSi-2pとO-1s光電子分光Teraoka, Yuden; Yoshigoe, Akitaka
Si表面の酸化を原子レベルで精密に制御することは、MOSFETのゲート酸化膜の製作にとって重要である。本研究では超音速分子線と放射光光電子分光を用いてO分子の並進運動エネルギーがSi(001)表面の初期酸化に与える影響を研究している。これまでに第一原理分子動力学計算で予測されていたO分子がSi(001)面上で解離吸着するときのエネルギー障壁を実験的に初めて検証した。1.0eVと2.6eVを境にしてSiの化学結合状態がO分子の並進運動エネルギーに依存して変化することが高分解能光電子分光で確かめられた。さらにO-1sの光電子ピークが2つの成分から構成され、その成分強度比がO分子の並進運動エネルギーに依存して変化することが新たに見いだされた。この事実はO原子の電子状態がその吸着サイトによって異なることを意味している。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 190 |
号 |
: | 1-4 |
ページ数 |
: | p.75 - 79 |
発行年月 |
: | 2002/05 |
発表会議名 |
: | 8th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-8) |
開催年月 |
: | 2001/06 |
開催都市 |
: | Sapporo |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
: | Si-2p; O-1s; 光電子分光; 放射光; 超音速分子線; Si(001); 初期酸化; 並進運動エネルギー; O |
論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：53.21 分野：Chemistry, Physical |
Altmetrics |
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