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部分酸化Si(100)表面のO$$_{2}$$並進運動エネルギーとその場放射光光電子分光観察

In situ photoemission spectroscopy using synchrotron radiation for O$$_{2}$$ translational kinetic energy induced oxidation processes of partially-oxidized Si(100) surfaces

寺岡 有殿; 吉越 章隆 

Teraoka, Yuden; Yoshigoe, Akitaka

Si(001)面のパッシブ酸化に与えるO$$_{2}$$分子の並進運動エネルギーの影響を光電子分光法を用いて研究した。加熱ノズルを使用した超音波シードビーム法を用いて、O$$_{2}$$分子の並進運動エネルギーを最大3eVまで制御した。第一原理計算の結果に対応するふたつの並進運動エネルギー閾値(1.0eV,2.6eV)が見いだされた。代表的な並進運動エネルギーで測定されたSi-2p光電子スペクトルはO$$_{2}$$分子の直接的な解離吸着がダイマーとサブサーフェイスのバックボンドで起こることを示唆している。さらに、O原子の化学結合の違いもO-1s光電子スペクトル上で低結合エネルギー成分と高結合エネルギー成分として見いだされた。特に低結合エネルギー成分が並進運動エネルギーの増加とともに増加することが確認された。これもバックボンドの並進運動エネルギー誘起酸化を示唆している。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

表面科学

巻

 :

22

号

 :

8

ページ数

 :

p.530 - 536

発行年月

 :

2001/08

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

Si(001); O$$_{2}$$分子; 初期酸化; 光電子分光; Si-2p; O-1s; 超音速分子線; 並進運動エネルギー; 解離吸着

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1380/jsssj.22.530

研究データの公開先DOI

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