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Structural study of semiconductive CdTe-ZnTe alloy by high-energy X-ray diffraction

高エネルギーX線回折によるCdTe-ZnTe半導体混晶の構造解析

米田 安宏   ; 松本 徳真; 鈴谷 賢太郎; 小原 真司*; 水木 純一郎

Yoneda, Yasuhiro; Matsumoto, Norimasa; Suzuya, Kentaro; Kohara, Shinji*; Mizuki, Junichiro

微小領域強誘導電体は従来の強誘導体の発現機構に加えてドメイン間の相互作用によって複雑な2次構造を持つ。この2次構造が強誘電体の分野に新局面を開く可能性があるとして、近年さかんに研究されるようになってきた。そのひとつに(Cd,Zn)Te半導体混晶がある。CdTeとZnTeはそれぞれジンクブレンド構造の半導体でpure-limitでは強誘電性は示さない。CdTe中のCd原子を原子半径の小さなZn原子で置換することによって格子歪が生じ、その歪が2次構造である微小強誘電領域を作り強誘電性が発現するとされている。ところが(Cd,Zn)Te混晶の格子歪は局所的な歪のために構造解析が非常に困難で、強誘電性の発現機構が解明されてはいなかった。われわれはSPring-8の高エネルギーX線を用いてPDF解析を行った結果、局所歪を取り込んだ構造解析によって強誘電性を説明しうるモデルを提案することができた。

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パーセンタイル:31.24

分野:Materials Science, Multidisciplinary

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