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Low energy proton-induced defects on n$$^{+}$$/p InGaP solar cell

低エネルギー陽子線照射により発生するn+/p InGaP太陽電池中の欠陥

Dharmarasu, N.*; 山口 真史*; Khan, A.*; 高本 達也*; 大島 武; 伊藤 久義; 今泉 充*; 松田 純夫*

Dharmarasu, N.*; Yamaguchi, Masafumi*; Khan, A.*; Takamoto, Tatsuya*; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Imaizumi, Mitsuru*; Matsuda, Sumio*

多接合太陽電池のトップセルであるn$$^{+}$$/p接合InGaP構造に100keV陽子線を照射し、電気特性に及ぼす効果をC-V測定法及びDLTS法により調べた。n$$^{+}$$/p接合InGaPは有機金属気相成長(MOCVD)法により作製し、陽子線照射は室温で1E12/cm$$^{2}$$まで行った。キャリア濃度の照射量依存性よりキャリア濃度減少率を見積もったところ6.1E4cm$$^{-1}$$が得られた。また、DLTS測定の結果、照射により400K付近にピーク(H1)が発生することがわかった。キャリア濃度測定の結果と比較することで、H1ピークはキャリア捕獲中心として働くことが判明した。

n$$^{+}$$/p InGaP junctions were irradiated with 100keV-protons, and the effect on their electrical properties were studied using C-V and DLTS methods.The n$$^{+}$$/p InGaP junctions were fabricated by MOCVD method.They were irradiated up to 1E12 /cm$$^{2}$$ at RT. The carrier removal rate was estimated to be 6.1E4 cm$$^{-1}$$ from the fluence dependence of carrier concentration. H1 peaks which were observed at 400 K in DLTS measurements were found after irradiation.It was concluded that H1 peaks relates residual defects which act as carrier removal centers.

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パーセンタイル:30.75

分野:Energy & Fuels

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