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Defects in 30 keV Er$$^{+}$$-implanted SiO$$_{2}$$/Si studied by positron annihilation and cathodoluminescence

陽電子消滅及びカソードルミネッセンスによる30keV Erイオン打込したSiO$$_{2}$$/Siの格子欠陥の研究

平田 浩一*; 荒井 秀幸*; 河裾 厚男; 関口 隆央*; 小林 慶規*; 岡田 漱平

Hirata, Koichi*; Arai, Hideyuki*; Kawasuso, Atsuo; Sekiguchi, T.*; Kobayashi, Yoshinori*; Okada, Sohei

30keVのErイオン打込みによってSiO$$_{2}$$(48nm)/Si中に生成する欠陥を陽電子消滅及びカソードルミネッセンスによって調べた。3$$times$$10$$^{14}$$Er$$^{+}$$/cm$$^{2}$$及び1.5$$times$$10$$^{15}$$Er$$^{+}$$/cm$$^{2}$$の注入量に対して、低速陽電子ビームによるドップラー拡がり測定を行った。ESR測定の結果と併せて考えると、注入によって発生する欠陥の種類が注入量に依存することが判明した。カソードルミネッセンスと陽電子消滅のアニール温度依存性と、欠陥がルミネッセンスに及ぼす影響について可能性を探る。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Journal of Applied Physics

巻

 :

90

号

 :

1

ページ数

 :

p.237 - 242

発行年月

 :

2001/07

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

Er; 陽電子消滅; カソードルミネッセンス; SiO$$_{2}$$/Si

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1063/1.1371948

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

パーセンタイル：21.84

分野：Physics, Applied

Altmetrics

 :

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