Tang, Z.; Zhang, Z.; 鳴海 一雅; Xu, Y.; 楢本 洋; 永井 士郎; 宮下 喜好*
Tang, Z.; Zhang, Z.; Narumi, Kazumasa; Xu, Y.; Naramoto, Hiroshi; Nagai, Shiro; Miyashita, Kiyoshi*
質量分離した各種のイオン(CH
(
=0~4))を超高真空中に置いたSi基板上に堆積して、炭素薄膜を合成した。このとき、入射イオン種、エネルギー及び基板温度が重要なパラメータであった。合成した炭素薄膜の表面形態の解析には原子間力顕微鏡を用い、結合状態の評価にはラマン顕微分光光度計を利用した。その結果、100eVの
C
イオンを室温でSi基板に入射すると、sp
結合の割合が約80%にも達する非晶質炭素膜を合成することができた。またこの薄膜の光学的バンドギャップ値は、2.54eVと非晶質炭素としては最大の部類に入るものを得た。さらに耐熱性を評価すると、CH
イオンで作製した薄膜は400
で黒鉛化するのに対して、Cイオンで作製したものは、700まで安定かつ優れた耐熱性を示した。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
|---|---|---|
掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 89 |
号 |
: | 3 |
ページ数 |
: | p.1959 - 1964 |
発行年月 |
: | 2001/02 |
キーワード |
: | DLC; イオンビーム蒸着; 炭素薄膜; ラマン分光; 光学的バンドギャップ |
論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：72.75 分野：Physics, Applied |
Altmetrics |
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