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Photoemission spectroscopy on initial oxidation of Si(001) induced by O$$_{2}$$ translational energy using synchrotron radiation

O$$_{2}$$分子の並進エネルギーで誘起されるSi(001)の初期酸化に関するシンクロトロン放射光を用いた光電子分光

寺岡 有殿; 吉越 章隆 

Teraoka, Yuden; Yoshigoe, Akitaka

本報告では昨年から今年にかけて行ったO$$_{2}$$分子の並進運動エネルギーで誘起されるSi(001)表面の初期酸化反応をシンクロトロン放射光を用いた光電子分光法で解析した結果の一部を述べる。清浄表面に残留H$$_{2}$$O分子が解離吸着した部分酸化Si(001)表面はO$$_{2}$$分子によってなかなか酸化されないこと。並進運動エネルギーが1.0eV以上でダイマーSiのバックボンドにO原子が入ること。さらに2.6eV以上ではサブサーフェイスのバックボンドにO原子が入ることを見いだした。Si-2pの光電子分光スペクトルには1eV以下ではおもにSi$$^{1+}$$までに酸化が止まること、1eV以上でSi$$^{3+}$$,Si$$^{4+}$$まで酸化が進行すること、2.6eV以上ではSi$$^{4+}$$が顕著になることが示され、第1原理計算とほぼ整合する結果が得られた。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Atomic Collision Research in Japan, No.27

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

p.77 - 79

発行年月

 :

2001/00

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

Si(001); O$$_{2}$$; Photoemission; Spectroscopy; Oxidation; Translational Energy; Synchrotron Radiation

特許データ

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PDF

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