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Formation of "Environmentally friendly" semiconductor ($$beta$$-FeSi$$_{2}$$) thin films prepared by ion beam sputter deposition (IBSD) method

イオンビームスパッタ蒸着法による"環境半導体"($$beta$$-FeSi$$_{2}$$)薄膜の作製

笹瀬 雅人*; 仲野谷 孝充  ; 山本 博之; 北條 喜一

Sasase, Masato*; Nakanoya, Takamitsu; Yamamoto, Hiroyuki; Hojo, Kiichi

近年、地球上に豊富に存在し、かつ生体に対し毒性の少ない元素から構成される半導体、いわゆる「環境半導体」と呼ばれる材料の作成が試みられている。これらの中でFeとSiから構成される$$beta$$-FeSi$$_{2}$$は優れた受発光特性や熱電変換特性を示すことから非常に有力な候補として注目されている。われわれはイオンビームスパッタ蒸着法によりSi基板上への$$beta$$-FeSi$$_{2}$$薄膜のエピタキシャル成長を試みた。特に、$$beta$$-FeSi$$_{2}$$薄膜の生成及び結晶性に最も大きな影響を与えると考えられるSiの基板温度とFeの蒸着条件を変化させ、生成した薄膜の構造についてX線回折法及び走査型電子顕微鏡を用いて検討した。これらの結果から、本報において基板温度700$$^{circ}C$$で最も良好な$$beta$$-FeSi$$_{2}$$が得られることを明らかにした。同時にFe蒸着条件によっては$$beta$$相よりも高温で生成する$$alpha$$相が基板温度600$$^{circ}C$$でも明らかに確認された。これは従来法より低温で$$beta$$相のエピタキシャル成長が可能であることを示唆するものであると考えられる。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Thin Solid Films

巻

 :

401

号

 :

1-2

ページ数

 :

p.73 - 76

発行年月

 :

2001/12

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

環境半導体; $$beta$$-FeSi$$_{2}$$; イオンビームスパッタ蒸着法; 薄膜; 基板温度

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1016/S0040-6090(01)01485-7

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

パーセンタイル：80.42

分野：Materials Science, Multidisciplinary

Altmetrics

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