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Annealing behavior of vacancies and Z$$_{1/2}$$ levels in electron-irradiated 4H-SiC studied by positron annihilation and deep-level transient spectroscopy

陽電子消滅及びDLTS測定による電子線照射した4H SiC中の原子空孔とZ$$_{1/2}$$準位のアニール挙動の研究

河裾 厚男; Redmann, F.*; Krause-Rehberg, R.*; Weidner, M.*; Frank, T.*; Pensl, G.*; Sperr, P.*; Triftsh$"a$user, W.*; 伊藤 久義

Kawasuso, Atsuo; Redmann, F.*; Krause-Rehberg, R.*; Weidner, M.*; Frank, T.*; Pensl, G.*; Sperr, P.*; Triftsh$"a$user, W.*; Ito, Hisayoshi

陽電子消滅及びDLTS法を用いて、電子線照射した4H SiCエピ膜中の原子空孔とZ$$_{1/2}$$準位のアニール挙動を研究した。等時アニールの結果、シリコン空孔が有力な陽電子捕獲中心として作用することがわかった。電子線照射後には、幾つかの電子準位が検出されたが、1200$$^{circ}C$$のアニール後には、Z$$_{1/2}$$準位が残留することが明らかになった。陽電子消滅で検出された原子空孔とDLTSで検出されたZ$$_{1/2}$$準位は、何れも1200~1500$$^{circ}C$$のアニールで消失することが明らかになった。この同時性から、Z$$_{1/2}$$準位は、シリコン原子空孔に由来すると結論できる。

no abstracts in English

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パーセンタイル:19.42

分野:Physics, Applied

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