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Photoemission study on the surface reaction dynamics of Si(001) oxidation by supersonic O$$_{2}$$ molecular beams

超音速O$$_{2}$$分子線を用いたSi(001)酸化の表面反応動力学に関する光電子分光研究

寺岡 有殿; 吉越 章隆 

Teraoka, Yuden; Yoshigoe, Akitaka

原研軟X線ビームラインBL23SUに設置した表面反応分析装置を用いてSi(001)面とO$$_{2}$$分子の反応を研究している。特にO$$_{2}$$分子の持つ並進運動エネルギーが初期酸化反応に与える影響を調べている。清浄Si(001)面が真空中の残留H$$_{2}$$O分子と反応して、H$$_{2}$$OがHとOHに解離して吸着した表面に対してO$$_{2}$$分子を解離吸着させ、その飽和吸着量とO$$_{2}$$分子の運動エネルギーとの関係を測定した結果、2つのしきい値を得た。一方はダイマーのバックボンドでの直接的な酸化,他方は第二層Siのバックボンドでの直接的な吸着と解釈された。しきい値で区別される3つの運動エネルギー領域でSi-2p光電子スペクトルを計測した結果、スペクトル形状が運動エネルギーに依存することがわかり、上記解釈の正当性が実証された。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

SPring-8 Research Frontiers 2000/2001

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

p.48 - 50

発行年月

 :

2001/00

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

Si(001); O$$_{2}$$; Supersonic Molecular Beams; Photoemission; Surface Reaction; Reaction Dynamics; Oxidation

特許データ

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