シリコン表面の初期酸化における酸素分子線の運動エネルギー効果

Kinetic energy effects of oxygen molecular beams in initial oxidation of silicon surfaces

寺岡 有殿; 吉越 章隆 ; 佐野 睦

Teraoka, Yuden; Yoshigoe, Akitaka; Sano, Mutsumi

SPring-8の原研軟X線ビームラインBL23SUに設置予定の表面反応分析装置の立ち上げ実験を進めている。本装置はシリコン等の固体表面に運動エネルギーを制御した分子線を照射できる。その表面をおもに光電子分光法で分析するほか、表面から熱脱離する分子や散乱分子線を差動排気した質量分析器で検出する。本装置はビームラインに設置するため、チェンバに導入されるガスがビームライン上流に拡散し光学素子を汚染することを防止しなければならない。そのために構成した差動排出計の動作特性は良好で、導入されたガスは本装置内でほぼ排気される。最初の立ち上げ実験としてシリコン表面の酸素分子線による初期酸化を試みた。入射する酸素分子の運動エネルギーを3eVまで変化させてシリコン表面の酸素量を光電子分光で調べた。その結果、運動エネルギーによって誘起されるシリコン表面の酸化現象を見いだした。

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