久保山 智司*; 新藤 浩之*; 平尾 敏雄; 松田 純夫*
Kuboyama, Satoshi*; Shindo, Hiroyuki*; Hirao, Toshio; Matsuda, Sumio*
半導体デバイスにおける放射線劣化は、NIEL(Non-Ionization Energy Loss)を用いてバルク損傷の生成に費やされるエネルギーの関数として表されている。本研究では照射によって導入される損傷を明確にするために、評価試料として電荷結合型デバイス(CCD)を用い、電子1
3MeV, 陽子80MeV、及び重イオン(56MeV-N, 5MeV-Ne, 150MeV-Ar, 323MeV-Kr)の照射を行い、ピクセルごとの暗信号を計測した。その結果、電子線照射では小さなエネルギーの一次はじき出し原子(PKA)しか生成できないために孤立した点欠陥が形成され、しかもその大部分は欠陥同志の再結合によって消滅するため、NIELとして与えられたエネルギーの内安定な欠陥に結びつく比率が極端に低くなることがわかった。一方、陽子/重粒子では、電子で発生する欠陥と同じ欠陥に加えて、高エネルギーのPKAによりカスケード損傷が起こり局所的に欠陥クラスターが形成されることがわかった。CCDを使用した照射実験の解析から、NIELとバルク損傷の比例関係が成立しない原因が明らかになった。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 49 |
号 |
: | 6 |
ページ数 |
: | p.2684 - 2689 |
発行年月 |
: | 2002/12 |
発表会議名 |
: | 2002 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference (NSREC 2002) |
開催年月 |
: | 2002/07 |
開催都市 |
: | Phoenix |
開催国 |
: | U. S. A. |
キーワード |
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論文URL |
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使用施設 |
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論文解説記事 |
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受委託・共同研究相手機関 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：54.8 分野：Engineering, Electrical & Electronic |
Altmetrics |
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