Radiation damage on 6H-SiC Schottky diodes

6H-SiCショットキーダイオードの照射損傷

西島 俊二*; Hearne, S. M.*; Jamieson, D. N.*; 大島 武; Lee, K. K.; 伊藤 久義

Nishijima, Toshiji*; Hearne, S. M.*; Jamieson, D. N.*; Oshima, Takeshi; Lee, K. K.; Ito, Hisayoshi

イオンビーム誘起電流(IBIC)を行いて炭化ケイ素(SiC)ショットキーダイオードの結晶損傷を調べた。n型またはp型六方晶SiCエピタキシャル単結晶上にアルミニウム、ニッケル及び金電極を蒸着することで30電極径のSiCショットキーダイオードを作製し、1m径の2MeVヘリウムイオンマイクロビームを10m10mエリアに10から10/cmの範囲で照射することで損傷を調べた。その結果、2MeVヘリウムイオンの照射量の増加とともにIBICが徐々に減少することが見出され、結晶損傷により発生した再結合中心により電荷収集量が減少することがわかった。

The radiation damage in silicon carbide (SiC) schottky diode was studied using ion beam induced current (IBIC). Schottky diodes with electrodes of 30 m on n- or p-type 6H-SiC were fabricated using the evaporation of Al, Ni, and Au. To study the radiation damage of diodes, the 2MeV-He ion micro beam with a diameter of 1 m was irradiated from 10 to 10/cm into a 10 m 10 m area. As the result, the value of IBIC decreased with increasing the dose of 2 MeV-He. This indicates that the charge collection decreases by the recombination centers introduced by irradiation.