Sampling depth for total-electron-yield X-ray absorption near-edge structure based on specimen current measurements

X線吸収端微細構造解析法における分析深さの検討

not registered; Noro, Hisato*; Nagoshi, Masayasu*; Baba, Yuji; Yamamoto, Hiroyuki; Sasaki, Teikichi

X線吸収端微細構造法(XANES)における分析深さを検討することを目的として、Si上に蒸着したAlを試料としてSi-K吸収端における電子収量を測定した。蒸着したAlには、膜厚がそれぞれ10~1000nmのもの5種を用いた。この結果、Al膜厚が100nmの試料においてもSiの吸収が観測されることから、XANES法における分析深さが100nm以上に達することを明らかにすることができた。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Photon Factory Activity Report
巻	:
号	:	13
ページ数	:	P. 350
発行年月	:	1995/00
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キーワード	:	XANES; 薄膜; 分析深さ; 放射光

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登録番号 : A19970054
抄録集掲載番号 : 250535
論文投稿番号 : 14791

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