Amorphization from the quenched high-pressure phase in III-V and II-VI compounds

III-V及びII-VI化合物のクエンチされた高圧相からのアモルファス化

毛利 友紀*; 加藤 小百合*; 森 博子*; 片山 芳則; 辻 和彦*

Mori, Yuki*; Kato, Sayuri*; Mori, Hiroko*; Katayama, Yoshinori; Tsuji, Kazuhiko*

GaSb,AlSb,GaAs,GaP,InAs,ZnSe及びCdTeの相転移の温度依存性を、30GPaまでの高圧力下,90-300Kの温度範囲で、X線回折測定により調べた。相転移は圧力-温度相図中の経路に依存する。減圧後の回収試料の構造は結合のイオン性に依存する。イオン性の小さい場合はアモルファスになり、イオン性の大きい場合は安定な閃亜鉛鉱型構造、イオン性が中程度の場合は微結晶になる。これらの結果を配位座標モデルを用いて議論する。

The temperature dependence of phase transitions in GaSb, AlSb, GaAs, GaP, InAs, ZnSe, and CdTe are studied by X-ray diffraction measurements under pressure upto 30 GPa at temperatures of 90-300K. The phase transitions depend on paths in a pressure-temperature phase diagram. The structure of the recovered phase after decompression depends on the ionicity in bonding: amorphous for small ionicity, the stable zincblende structure for large ionicity, and microcrystalline or moderate ionicity. These results are discussed by using a configuration-coordinate model.