Control of film orientation; A Parametric study of laser ablated FTO films on a-, c- and r-cut sapphire substrates by X-ray diffraction

薄膜の結晶方位制御; サファイアのa,c,r面にレーザー蒸着したFTO薄膜のX線回折法によるパラメトリックな研究

Dai, Z.*; Miyashita, Atsumi; Yamamoto, Shunya; Narumi, Kazumasa; Naramoto, Hiroshi

サファイアのa,c及びr面を基板に用いて、レーザーアブレーション法により蒸着した薄膜の方位と基板方位との関係を、基板方位、温度、レーザーパワーとに着目して系統的に調べた。その中でも特徴的なのは、方位のちがう基板でも、レーザーパワーを増すことにより、FTO(FeTiO $_{3}$ )のC面を成長させることができた点である。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Thin Solid Films
巻	:	349
号	:	1-2
ページ数	:	p.51 - 55
発行年月	:	1999/00
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キーワード	:	Crystal Growth; Film; FTO; Laser Ablation; X-ray Diffraction

特許データ	:
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論文URL	:	https://doi.org/10.1016/S0040-6090(99)00170-4
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Access	:	- Accesses
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InCites™	:	パーセンタイル：22.84 分野：Materials Science, Multidisciplinary
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登録番号 : A19980619
抄録集掲載番号 : 270952
論文投稿番号 : 16747

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