片桐 政樹; 岸本 牧; H.Kraus*; 浮辺 雅宏*; 倉門 雅彦*; 中沢 正治*; 前畑 京介*; 石橋 健二*; 中村 龍也* 
Katagiri, Masaki; Kishimoto, Maki; H.Kraus*; Ukibe, M.*; Kurakado, M.*; Nakazawa, Masaharu*; Maehata, Keisuke*; not registered; Nakamura, Tatsuya*
SIS(超伝導-絶縁体-超伝導)構造を持つ超伝導トンネル接合素子による準粒子検出に関して、直接超伝導体内で作り出されたものと基板内でフォノンを介して作り出されたものをそれぞれ別個に測定しその特性を調べた。5.9keVX線を用いて178
m
178mNb接合素子のX線に対する応答特性と接合に印加するバイアス電圧を変化させながら測定した。その結果、直接超伝導体内で作り出される準素子と基板内でフォノンを介して作り出される準粒子と基板内でフォノンを介して作り出される準粒子の接合を介しての収集特性が異なることがわかった。この原因は、準粒子とフォノンに対してトンネル接合の超伝導層内に異なったエネルギーレベルが存在するためと推測される。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | Proc. of 7th Int. Workshop on Low Temperature Detectors (LTD-7) |
巻 |
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号 |
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ページ数 |
: | p.39 - 44 |
発行年月 |
: | 1997/00 |
発表会議名 |
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開催年月 |
: | 1997/07 |
開催都市 |
: | Germany |
開催国 |
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キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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