Defect production and annealing in high-Tc superconductor EuBa $_{2}$ Cu $_{3}$ Oy irradiated with energetic ions at low temperature

低温においてイオン照射した高温超伝導体EuBa $_{2}$ Cu $_{3}$ Oyの欠陥生成と欠陥回復

Ishikawa, Norito; Chimi, Yasuhiro; Iwase, Akihiro; not registered; Michikami, Osamu*

高温超伝導体EuBa $_{2}$ Cu $_{3}$ Oyに100Kにおいてあらゆるイオン(Cl,Ni,Br,I,90-200MeV)を照射し、電気抵抗率の照射量依存性をその場測定した。その結果、Cl,Niイオン照射した時には、抵抗率は、照射量の増加に伴い飽和傾向を示し、Br,I照射の時には、発散傾向を示した。これらの曲線の違いを、試料に導入された粒状の抵抗率の高い領域を仮定することによって、統一的に説明することができた。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Mat. Res. Soc. Symp. Proc.
巻	:	504
号	:
ページ数	:	p.171 - 175
発行年月	:	1998/00
発表会議名	:	Materials Research Society 1997 Fall Meeting
開催年月	:	1997/12
開催都市	:	America
開催国	:
キーワード	:	イオン照射; 電子励起; 欠陥生成; 欠陥回復

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登録番号 : B19971373
抄録集掲載番号 : 270596
論文投稿番号 : 16435

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Defect production and annealing in high-Tc superconductor EuBaCuOy irradiated with energetic ions at low temperature

低温においてイオン照射した高温超伝導体EuBaCuOyの欠陥生成と欠陥回復

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