RBS/channeling, XRD and optical characterization of deep ion implantation into single crystalline SiO $_{2}$

金を深部イオン注入したSiO $_{2}$ 単結晶のイオンビーム解析法、X線回折法及び光学吸収分光法による評価

Dai, Z.*; Yamamoto, Shunya; Naramoto, Hiroshi; Narumi, Kazumasa; Miyashita, Atsumi

3MeVのAuをイオン注入したSiO $_{2}$ (0001)について、イオンチャネリング法、X線回折法及び光吸収測定法について総合的に調べた。その結果、注入したAuは長距離拡散しないで基板の結晶方位と整合した微粒子を形成することを明らかにした。また、1000 $^{circ}$ Cで熱処理すると、Auのプラズモンによる吸収が顕著になり、その径は光吸収測定の結果から、4.2nmと算出された。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	1998 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings, Vol.2
巻	:
号	:
ページ数	:	p.1159 - 1162
発行年月	:	1998/06
発表会議名	:	12th International Conference on Ion Implantation Technology
開催年月	:	1998/06
開催都市	:	Kyoto
開催国	:	Japan
キーワード	:	SiO $_{2}$ ; Implantation; Au; Ion Beam Analysis; X-ray Diffraction; Optical Absorption; Colloids

特許データ	:
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論文URL	:	https://doi.org/10.1109/IIT.1998.813889
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登録番号 : B19980520
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 25645

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RBS/channeling, XRD and optical characterization of deep ion implantation into single crystalline SiO

金を深部イオン注入したSiO単結晶のイオンビーム解析法、X線回折法及び光学吸収分光法による評価

RBS/channeling, XRD and optical characterization of deep ion implantation into single crystalline SiO $_{2}$

金を深部イオン注入したSiO $_{2}$ 単結晶のイオンビーム解析法、X線回折法及び光学吸収分光法による評価