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Compact toroid injection experiment in JFT-2M

JFT-2Mにおけるコンパクト・トロイド入射実験

小川 俊英; 福本 直之*; 永田 正義*; 小川 宏明; 前野 勝樹; 長谷川 浩一; 柴田 孝俊; 宇山 忠男*; 宮沢 順一*; 河西 敏; 川島 寿人; 三浦 幸俊; 仙石 盛夫; 木村 晴行; JFT-2Mグループ

Ogawa, Toshihide; Fukumoto, Naoyuki*; Nagata, Masayoshi*; Ogawa, Hiroaki; Maeno, Masaki; Hasegawa, Koichi; Shibata, Takatoshi; Uyama, Tadao*; Miyazawa, Junichi*; Kasai, Satoshi; Kawashima, Hisato; Miura, Yukitoshi; Sengoku, Seio; Kimura, Haruyuki; JFT-2M Group

姫路工大で開発したコンパクトトロイド(CT)入射装置を用いて同大学と共同で行っているJFT-2MプラズマへのCT入射実験について報告する。プラズマ中へ入射したCTは磁場の圧力を受けて進入するため、CTの運動エネルギーと磁場強度で進入距離が決まる。トロイダル磁場を0.8Tまで下げるとCT入射に伴い、多チャンネル軟X線計測器の中心コードに信号が増加する放電が得られた。このとき電子密度は急上昇し、マイクロ波干渉計の中心コードで1.7$$times$$10$$^{21}$$m$$^{-3}$$/sの線平均電子密度の上昇率が得られている。軟X線計測器の信号が増加する最も内側のチャンネルからCTの進入を評価すると、CTの加速電圧やトロイダル磁場強度を変えた放電から、電子密度の上昇率は進入距離に依存することがわかった。Hモード中へのCT入射を試み、トロイダル磁場0.8Tで1.9$$times$$10$$^{21}$$m$$^{-3}$$/sの電子密度上昇率が得られた。

no abstracts in English

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パーセンタイル:69.37

分野:Physics, Fluids & Plasmas

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