Kawasuso, Atsuo; Okada, Sohei; Ichimiya, Ayahiko*
表面物性の評価手法として期待されている反射高速陽電子回折(以下、RHEPD)の開発とシリコン表面構造解析及び金属表面ポテンシャルの測定に関する結果を紹介する。また、RHEPDの理論的側面についても述べる。1998年に原研高崎研において、初めて明瞭な回折図形が観測された。その後、水素終端したシリコン(111)表面の構造解析がなされている。ロッキング曲線(陽電子反射強度-入射視射角依存性)より、RHEPDに特有の全反射現象と1次ブラッグピークが認められた。動力学計算との比較から、STMや赤外吸収測定では、観測が難しいとされるSiH
相の存在が示唆された。また、Au,Ni,Ir表面による反射陽電子の強度測定から、理論値と比較可能なレベルで表面ダイポール障壁が実測できた。講演では、上述の成果とともに現状の問題点と今後の展開についてもふれる。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 171 |
号 |
: | 1-2 |
ページ数 |
: | p.219 - 230 |
発行年月 |
: | 2000/08 |
発表会議名 |
: | 10th Workshop on Low Energy Positron and Positronium Physics |
開催年月 |
: | 1999/07 |
開催都市 |
: | つくば |
開催国 |
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キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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パーセンタイル：62.16 分野：Instruments & Instrumentation |
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