Asaoka, Hidehito; Saiki, Koichiro*; Koma, Atsushi*; Yamamoto, Hiroyuki
半導体基板上への酸化物薄膜のヘテロエピタキシャル成長は、得られる酸化物薄膜の結晶性・界面上の遷移層の存在が問題とされている。そこでわれわれは半導体基板上に直接良質な酸化物薄膜を成長させるため、水素終端処理を用いたヘテロエピタキシャル成長の可能性を探った。半導体基板上にtcc構造の金属Srのエピタキシャル成長後、酸化処理を行うことによってSrの構造を保ったNaCl構造のSrOエピタキシャル薄膜を成長させることに成功した。水素終端処理の有無に関連し、結晶性、界面の評価を行った結果、水素終端処理がシャープな界面形成に有効であることが示された。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 369 |
号 |
: | 1-2 |
ページ数 |
: | p.273 - 276 |
発行年月 |
: | 2000/07 |
発表会議名 |
: | International Joint Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures |
開催年月 |
: | 1999/09 |
開催都市 |
: | Sendai |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：59.82 分野：Materials Science, Multidisciplinary |
Altmetrics |
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