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論文

Low-temperature epitaxial growth of SrO on hydrogen-passivated Si(100) surface

朝岡秀人; 斉木幸一郎*; 小間篤*; 山本博之

Physica B; Condensed Matter, 284-288, p.2101 - 2102, 2000/07

https://doi.org/10.1016/S0921-4526(99)02986-5

被引用回数：0 パーセンタイル：0(Physics, Condensed Matter)

Si21基板上へのSrO薄膜作製のためにさまざまな試みがなされているが、Si(100)面上へのSrOのエピタキシャル成長は困難であり、得られる薄膜の結晶性、界面上のSiO $_{2}$ 等の存在が問題とされている。そこで水素終端したSi(100)基板を用いたSrOのエピタキシャル成長の可能性を探るとともに、RHEED,AES,ESCA等によるSi界面、SrO薄膜の評価を行った。

論文

Heteroepitaxial growth of SrO on hydrogen-terminated Si(001) surface

朝岡秀人; 斉木幸一郎*; 小間篤*; 山本博之

Thin Solid Films, 369(1-2), p.273 - 276, 2000/07

https://doi.org/10.1016/S0040-6090(00)00877-4

被引用回数：14 パーセンタイル：59.79(Materials Science, Multidisciplinary)

半導体基板上への酸化物薄膜のヘテロエピタキシャル成長は、得られる酸化物薄膜の結晶性・界面上の遷移層の存在が問題とされている。そこでわれわれは半導体基板上に直接良質な酸化物薄膜を成長させるため、水素終端処理を用いたヘテロエピタキシャル成長の可能性を探った。半導体基板上にtcc構造の金属Srのエピタキシャル成長後、酸化処理を行うことによってSrの構造を保ったNaCl構造のSrOエピタキシャル薄膜を成長させることに成功した。水素終端処理の有無に関連し、結晶性、界面の評価を行った結果、水素終端処理がシャープな界面形成に有効であることが示された。