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Oxidation of aqueous HF-treated Si(001) surface induced by translational kinetic energy of O$$_{2}$$ at room temperature

O$$_{2}$$の並進運動エネルギーによって誘起されるHF溶液によって処理したSi(001)表面の室温酸化

吉越 章隆 ; 寺岡 有殿

Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden

O$$_{2}$$の並進運動エネルギーによって誘起されるHF溶液によって処理したSi(001)表面の室温酸化を放射光光電子分光法と超音速分子線技術によって調べた。室温において、0.04eVの並進運動エネルギーでは、酸化は進まないことが分かった。一方、3.0eVの並進運動エネルギーの場合は、Si$$^{1+}$$, Si$$^{2+}$$及びSi$$^{3+}$$ を含む最大Si$$^{4+}$$まで酸化が進むことが明らかとなった。最終的な酸化膜厚が0.26nmであることから、最表面のSi原子が酸化していることが明らかとなった。

We investigated oxidation reactions induced by the translational kinetic energy of O$$_{2}$$ on an Si(001) surface treated with aqueous hydrofluoric acid (HF) solution by combining synchrotron radiation photoemission spectroscopy with supersonic molecular beam techniques. The oxidation reactions at room temperature did not progress following up to approximately 3600 L exposure of O$$_{2}$$ with incident energy of 0.04 eV. On the other hand, the oxidation states up to the Si$$^{4+}$$ species including the Si$$^{1+}$$, Si$$^{2+}$$ and Si$$^{3+}$$ species were formed when the incident energy was 3.0 eV. The thickness of oxidized layers was estimated to be 0.26 nm at the final oxidation stages. Thus, we concluded that the Si atoms at the top layers were oxidized by the translational kinetic energy of 3.0 eV.

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1

巻

 :

42

号

 :

9A

ページ数

 :

p.5749 - 5750

発行年月

 :

2003/09

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

Si(001); Oxidation; Aqueous Hydrofluoric Acid; Synchrotron Radiation; Photoemission Spectroscopy; Supersonic Molecular Beam; Translational Kinetic Energy; O$$_{2}$$; Oxidation States; Room Temperature

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1143/JJAP.42.5749

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

SPring-8(大型放射光施設)

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

パーセンタイル：10.73

分野：Physics, Applied

Altmetrics

 :

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